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具有石墨烯散热层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法

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摘要

本公开提供了一种具有石墨烯散热层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，采用碳化硅衬底，在衬底上生长一层石墨烯材料，在石墨烯材料上生长氮化镓成核层，在成核层上生长氮化镓高阻缓冲层，在其上生长高迁移率的氮化镓沟道层，在沟道层上生长AlGaN势垒层，两个欧姆接触形成器件的源漏电极，在此之上淀积一薄层氮化硅表面钝化层，在源极和漏极之间将SiN_X钝化层刻蚀出槽，然后在其后制作肖特基栅极。本公开可应用于高可靠GaN基微波功率器件领域，有利于降低GaN基HEMT的自热效应，降低界面热阻，进而提升GaN基HEMT在强电场以及高温环境下工作时热可靠性。

著录项

公开/公告号CN108389903B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN201810171210.5
发明设计人赵妙;刘洪刚;张国斌;吴宗刚;孙兵;黄凯亮;
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申请日2018-03-01
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 12:24:30

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