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一种侵彻引信用电容传感器

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本发明涉及电容传感器技术领域，具体涉及一种侵彻引信用电容传感器。一种侵彻引信用电容传感器，其技术方案是：传感器下盖上表面置有电介质薄膜，其与外壳相连接，构成传感器的定极板；敏感元件由第一压簧支撑，构成传感器的动极板；敏感元件和钛合金垫片由第二压簧相连接；绝缘套筒安装在外壳和敏感元件之间，实现了定极板与动极板之间的绝缘；电极板安装在外壳和钛合金垫片之间，电极板的上下表面镀有电极，上电极与外壳接触，下电极与钛合金垫片接触。敏感元件在受到大于弹簧抗力的惯性力后向下运动，电容器动、定两个极板间距离减小，从而产生变化的电容信号，使引信在侵彻硬目标的情况下能够实现计层识别。

著录项

公开/公告号CN112629569B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07

原文格式PDF
申请/专利权人北京理工大学;
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申请/专利号CN202011467713.0
发明设计人隋丽;汪德武;于昊塬;贺元吉;苏怀维;陈华;石庚辰;张力;陈润峰;闾冰;邱泓程;段雨涵;
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申请日2020-12-14
分类号G01D5/241(20060101);F42C19/00(20060101);
代理机构11120 北京理工大学专利中心;
代理人温子云
地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号
入库时间 2022-08-23 12:25:48

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