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利用奇异光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统

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摘要

提供了用于检查基底的方法、系统和装置。所述方法包括：用奇异激光束照射所述基底，所述奇异激光束在所述基底上形成照射斑并且在所述基底的表面形成明条纹，所述明条纹沿所述照射斑的至少一部分延伸；以及通过光学检测系统检测在所述照射斑中的来自存在于所述基底上的纳米缺陷的散射光。

公开/公告号CN109196336B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN201780033786.9
发明设计人田新康;孟庆玲;
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申请日2017-05-31
分类号G01N21/88(20060101);G01B11/02(20060101);G01N21/00(20060101);G01N21/84(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人蔡胜有;苏虹
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 12:37:37

1. 利用奇异光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统 [P] . 中国专利： CN109196336B . 2021.10.15
2. 利用奇异光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统 [P] . 中国专利： CN109196336A . 2019-01-11
3. Dark field wafer nano-defect inspection system with a singular beam [P] . 美国专利： US10345246B2 . 2019-07-09

机译：具有奇异光束的暗场晶圆纳米缺陷检查系统
4. DARK FIELD WAFER NANO-DEFECT INSPECTION SYSTEM WITH A SINGULAR BEAM [P] . SG11201810682PA . 2018-12-28

机译：具有单个光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统
5. DARK FIELD WAFER NANO-DEFECT INSPECTION SYSTEM WITH A SINGULAR BEAM [P] . 世界知识产权组织专利： WO2017210281A1 . 2017-12-07

机译：具有单个光束的暗场晶片纳米缺陷检查系统