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物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置

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本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。

著录项

公开/公告号CN109868456B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-28

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN201811477893.3
发明设计人前田幸治;横原宏行;曽根浩;宫下哲也;
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申请日2018-12-05
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/50(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/16(20060101);
代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 12:52:55

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