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具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其制备方法

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本发明公开了一种具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其制备方法，从下而上依次设置栅极、绝缘层、电子传输层、第一介电层、量子点发光层、第二介电层、空穴传输层、源/漏极，第一介电层修饰电子传输层和量子点发光层的界面，第二介电层修饰量子点发光层与空穴传输层界面。通过介电层修饰量子点发光层与空穴传输层的界面，不仅减少空穴传输层与发光层间的空穴注入势垒，并且减少发光层的针孔，改善空穴的注入效率，降低非辐射复合，显著提高了发光场效应晶体管的发光效率。本发明还使用介电层修饰电子传输层与量子点发光层的界面，可以降低电子传输层内部的陷阱密度，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件的发光效率。

著录项

公开/公告号CN111146351B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-07

原文格式PDF
申请/专利权人上海大学;
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申请/专利号CN202010001249.X
发明设计人杨绪勇;孔令媚;丁星伟;吴家龙;
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申请日2020-01-02
分类号H01L51/50(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101);
代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2022-08-23 12:54:43

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