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与互连结构中电介质材料成一体的扩散阻挡叠层及其形成方法

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摘要

本发明涉及一种在用于双重镶嵌式金属芯片级互连结构的电介质上形成扩散阻挡叠层的方法、以及用此方法生产的扩散阻挡叠层。金属和电阻性扩散阻挡层形成的交互层沉积在电介质基片上，其中不同的层具有适于其在器件中的功能的不同厚度。在本发明的一示例中，钽和氮化钽形成的交互层沉积在电介质基片上。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20090325 终止日期:20131031 申请日:20011031

专利权的终止
2009-03-25

授权

授权
2005-06-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-04-20

公开

公开

1. 与互连结构中电介质材料成一体的扩散阻挡叠层及其形成方法 [P] . 中国专利： CN100472750C . 2009.03.25
2. 用于先进互连应用的超薄电介质扩散阻挡层与蚀刻终止层 [P] . 中国专利： CN107112278A . 2017-08-29
3. Process for treating porous low k dielectric material in damascene structure to form a non-porous dielectric diffusion barrier on etched via and trench surfaces in the porous low k dielectric material [P] . 美国专利： US6537896B1 . 2003-03-25

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4. COPPER INTERCONNECTION STRUCTURE USING AMORPHOUS TANTALUM-IRIDIUM DIFFUSION BARRIER, FORMING METHOD THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY THE METHOD [P] . 日本专利： JP2010283347A . 2010-12-16

机译：非晶钽-铱扩散阻挡层的铜互连结构，形成方法及利用该方法制造半导体装置的方法
5. Interconnect structures with a metal nitride diffusion barrier containing ruthenium and method of forming [P] . 美国专利： US7786006B2 . 2010-08-31

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