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半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法

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摘要

本发明涉及半导体技术领域。半导体高阶制程APC装置的石英部件再生清洗方法，包括如下步骤：步骤一，微粉喷砂；步骤二，物理抛光研磨；步骤三，火焰抛光；步骤四，高温退火；步骤五，化学清洗；首先、使用氨水双氧水溶液,溶液温度20‑40℃，浸泡10min；然后、使用硝氟酸溶液浸泡5‑20min；最后、使用硝氟酸溶液浸泡5‑20min；步骤六，超声波清洗；步骤七，冲洗、干燥。本发明降低了成本和达到避免化学去膜存在的腐蚀问题目的。

著录项

  • 公开/公告号CN111940394B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海富乐德智能科技发展有限公司;

    申请/专利号CN202010691293.8

  • 发明设计人 廖宗洁;贺贤汉;杨炜;

    申请日2020-07-17

  • 分类号B08B3/08(20060101);B08B3/12(20060101);B08B3/02(20060101);B24C1/08(20060101);B24B29/02(20060101);F26B21/00(20060101);

  • 代理机构31280 上海申浩律师事务所;

  • 代理人陆叶

  • 地址 200444 上海市宝山区山连路181号10幢

  • 入库时间 2022-08-23 13:01:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-21

    授权

    发明专利权授予

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