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MOS器件的制备方法及MOS器件

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本公开提供一种MOS器件的制备方法和MOS器件，该MOS器件包括宽禁带半导体基片和SOI基片，所述宽禁带半导体基片为碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石中的任意一种，该方法包括：在宽禁带半导体基片的上表面注入硼或氮原子，形成表面掺杂层；在表面掺杂层中注入包含有氢离子的活性基团；对SOI基片的绝缘介质层表面进行等离子激活，使绝缘介质层中形成羟基活性等离子基元；通过表面掺杂层中包含的氢离子和绝缘介质层中包含的羟基活性等离子基元，键合宽禁带半导体基片和SOI基片，对硅介质层进行低温氧化处理，形成栅介质层；在宽禁带半导体基片的下表面依次淀积镍、钛、铝的多层金属，形成背面电极接触；在栅介质层的正面淀积金属薄膜层，形成正面电极接触。

著录项

公开/公告号CN112117326B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN202011029074.X
发明设计人申占伟;刘兴昉;赵万顺;王雷;闫果果;孙国胜;曾一平;
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申请日2020-09-25
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/16(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周天宇
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 13:07:43

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