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在三栅极(FINFET)工艺上集成多个栅极电介质晶体管的方法

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摘要

描述了具有不同栅极结构并且形成于单个集成电路上的两种或更多类型的基于鳍状物的晶体管。至少通过(多个)栅极电介质层的厚度或成分或者栅极电极中的(多个)功函数金属层的成分来区分每种类型的晶体管的栅极结构。还提供了用于制造具有至少两种不同类型的基于鳍状物的晶体管的集成电路的方法，其中通过(多个)栅极电介质层的厚度和成分和/或栅极电极中的功函数金属的厚度和成分来区分所述晶体管类型。

著录项

公开/公告号CN107680968B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-22

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201710827449.9
发明设计人 C·蔡;C-H·简;J-Y·D·叶;J·朴;W·M·哈菲兹;
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申请日2011-12-28
分类号H01L27/088(20060101);H01L27/092(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/49(20060101);H01L29/51(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人邬少俊;王英
地址美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 13:09:37

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外文文献

1. 在三栅极(FINFET)工艺上集成多个栅极电介质晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN107680968B . 2022.02.22
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