公开/公告号CN110858597B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-11
原文格式PDF
申请/专利号CN201810962910.6
申请日2018-08-22
分类号H01L27/146(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 300385 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号
入库时间 2022-08-23 13:15:01
机译: 单晶生长方法和单晶生长坑
机译: 多晶硅储存夹具和制造多晶硅的方法