首页> 中国专利> 半导体集成电路、标准单元、标准单元库、设计方法及设计装置

半导体集成电路、标准单元、标准单元库、设计方法及设计装置

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供一种能够抑制由光邻近效应引起的栅长离差的半导体集成电路，包括：可激活的第1晶体管，由沿第1方向延伸的第1栅极和第1扩散区域形成；第2晶体管，由沿上述第1方向延伸的第2栅极和第2扩散区域形成，在与上述第1方向正交的第2方向上与上述第1晶体管相邻；以及沿上述第1方向延伸的第3栅极，在与上述第2晶体管相反的一侧，在上述第2方向上与上述第1晶体管相邻。上述第1栅极和上述第2栅极之间的间隔，比上述第1栅极和上述第3栅极之间的间隔大。

著录项

公开/公告号CN100521204C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-29

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
展开▼

申请/专利号CN200610100502.7
发明设计人当房哲朗;冈本奈奈;矢野纯一;
展开▼

申请日2006-06-30
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人季向冈
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:02:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-07-29

授权

授权
2007-03-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-01-10

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 半导体集成电路、标准单元、标准单元库、设计方法及设计装置 [P] . 中国专利： CN100521204C . 2009.07.29
2. 标准单元、半导体集成电路及其设计方法、设计装置及标准单元库 [P] . 中国专利： CN1945830A . 2007-04-11
3. Semiconductor integrated circuit, standard cell, standard cell library, semiconductor integrated circuit designing method, and semiconductor integrated circuit designing equipment [P] . 美国专利： US8261225B2 . 2012-09-04

机译：半导体集成电路，标准单元，标准单元库，半导体集成电路设计方法和半导体集成电路设计设备
4. Semiconductor integrated circuit, standard cell, standard cell library, semiconductor integrated circuit designing method, and semiconductor integrated circuit designing equipment [P] . 美国专利： US7685551B2 . 2010-03-23

机译：半导体集成电路，标准单元，标准单元库，半导体集成电路设计方法和半导体集成电路设计设备
5. SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, STANDARD CELL, STANDARD CELL LIBRARY, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DESIGNING METHOD, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DESIGNING EQUIPMENT [P] . 美国专利： US2010148235A1 . 2010-06-17

机译：半导体集成电路，标准单元，标准单元库，半导体集成电路设计方法和半导体集成电路设计设备