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微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构

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提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。

著录项

公开/公告号CN112956011B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-26

原文格式PDF
申请/专利权人伊文萨思粘合技术公司;
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申请/专利号CN201980070918.4
发明设计人 G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐;
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申请日2019-08-21
分类号H01L21/768;H01L21/324;H01L23/00;
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人酆迅
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-09-06 00:36:08

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法律状态公告日

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法律状态
2022-07-26

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1. 微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构 [P] . 中国专利： CN112956011B . 2022.07.26
2. 微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构 [P] . 中国专利： CN112956011A . 2021-06-11
3. LAYER STRUCTURES FOR MAKING DIRECT METAL-TO-METAL BONDS AT LOW TEMPERATURES IN MICROELECTRONICS [P] . 美国专利： US2022005784A1 . 2022-01-06

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4. Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics [P] . 美国专利： US11011494B2 . 2021-05-18

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5. LAYER STRUCTURES FOR MAKING DIRECT METAL-TO-METAL BONDS AT LOW TEMPERATURES IN MICROELECTRONICS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3821461A1 . 2021-05-19

机译：用于在微电子中的低温下进行直接金属对金属键的层结构