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光致抗蚀剂图案缩小组合物与图案缩小方法

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摘要

本发明的目的在于，在半导体制造工艺中提供利用光致抗蚀剂可缩小(Shrink)光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案缩小用组合物与利用该组合物的图案缩小方法，在形成光致抗蚀剂图案时，缩小要形成的图案，大幅度减少半导体制造工艺的工艺数量，不仅如此还节省制造时间以及制造成本。

公开/公告号CN109313401B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-29

原文格式PDF
申请/专利权人荣昌化学制品株式会社;
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申请/专利号CN201780038755.2
发明设计人李昇勋;李昇炫;李秀珍;金起洪;
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申请日2017-06-20
分类号G03F7/42(2006.01);G03F7/004(2006.01);G03F7/038(2006.01);C11D11/00(2006.01);C11D3/43(2006.01);G03F7/16(2006.01);H01L21/027(2006.01);
代理机构北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384;
代理人郑青松
地址韩国庆尚北道
入库时间 2022-09-06 00:36:09

1. 光致抗蚀剂图案缩小组合物与图案缩小方法 [P] . 中国专利： CN109313401B . 2022.07.29
2. 光致抗蚀剂图案缩小组合物与图案缩小方法 [P] . 中国专利： CN109313401A . 2019-02-05
3. BI-LAYER PHOTORESIST POLYMER PERFORMING POST ETCH PROCESS, A COMPOSITION COMPRISING THE SAME AND A METHOD FOR MANUFACTURING A PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20090102217A . 2009-09-30

机译：执行后蚀刻过程的双层光致抗蚀剂聚合物，包含该光致抗蚀剂的组合物以及使用该光致抗蚀剂图案制造光致抗蚀剂图案的方法
4. PHOTORESIST MONOMER, PHOTORESIST POLYMER, METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST POLYMER, PHOTORESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN [P] . 日本专利： JP2005113118A . 2005-04-28

机译：光致抗蚀剂单体，光致抗蚀剂聚合物，光致抗蚀剂聚合物的制备方法，光致抗蚀剂组合物和光致抗蚀剂图案的形成方法
5. PHOTORESIST MONOMER, PHOTORESIST POLYMER, METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST POLYMER, PHOTORESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 日本专利： JP2003020315A . 2003-01-24

机译：光致抗蚀剂单体，光致抗蚀剂聚合物，光致抗蚀剂聚合物的制造方法，光致抗蚀剂组合物，光致抗蚀剂图案的形成方法以及半导体装置