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GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用

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摘要

本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。

著录项

公开/公告号CN100533667C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-08-26

原文格式PDF
申请/专利权人南京大学;
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申请/专利号CN200810124346.7
发明设计人谢自力;张荣;崔旭高;陶志阔;修向前;韩平;陈鹏;赵红;刘斌;李弋;宋黎红;崔颖超;施毅;郑有炓;
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申请日2008-06-27
分类号H01L21/205(20060101);H01F41/22(20060101);
代理机构32112 南京天翼专利代理有限责任公司;
代理人黄明哲
地址 210093 江苏省南京市汉口路22号
入库时间 2022-08-23 09:03:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-08-26

授权

授权
2009-02-18

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-12-24

公开

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