退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111722075B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.10.18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室));
申请/专利号CN202010611079.7
发明设计人 彭超;雷志锋;岳少忠;张战刚;何玉娟;
申请日2020.06.30
分类号G01R31/26;H01L29/06;H01L29/778;
代理机构华进联合专利商标代理有限公司;
代理人缪成珠
地址 511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
入库时间 2022-11-28 17:51:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
授权
发明专利权授予
机译: GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译: 氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
机译: Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:大功率开关应用Alo.42lno.o3Gao.55N / UID-AIN / GaN / GaN异质结构四级势垒上高k介电材料MIS-HEMTs器件的表征和优化
机译:GaN HEMT器件上的X参数测量:降低负载-负载表征测试装置的复杂度研究
机译:制备金属炔基的模型和低聚物NMR,GPC和X射线结构表征用于构建分子器件的结构单元
机译:在器件表征和全GaN基LLC谐振转换器中评估600 V共源共栅GaN HEMT
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:测试基于GaN的HEMT器件的温度极限
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。