公开/公告号CN100557083C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-11-04
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN200510111258.X
申请日2005-12-08
分类号C23C30/00(20060101);C23F17/00(20060101);C23C14/24(20060101);C23C14/14(20060101);C23C14/18(20060101);C23G1/00(20060101);
代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞;盛志范
地址 200433 上海市邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 09:03:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 30/00 授权公告日:20091104 终止日期:20121208 申请日:20051208
专利权的终止
2009-11-04
授权
授权
2006-12-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-07-19
公开
公开
机译: 涂覆有高导电性含碳纳米孔和超薄金属膜的导电单晶硅颗粒,包括其的高容量锂阳极材料及其制备方法
机译: 高导电性含碳纳米孔包覆的导电单晶硅颗粒及其超薄金属膜高容量锂阳极材料及其制备方法
机译: 高导电性含碳纳米孔包覆的导电单晶硅颗粒及其超薄金属膜高容量锂阳极材料及其制备方法