• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> PIN二极管及用于制造PIN二极管和形成半导体鳍结构的方法

PIN二极管及用于制造PIN二极管和形成半导体鳍结构的方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明的实施例总体上涉及半导体器件领域，更具体地涉及基于鳍的结型二极管。掺杂半导体鳍的一部分可以穿过第一掺杂层突出。本征层可以布置在所述突出的半导体鳍上。第二半导体层可以布置在本征层上，从而形成与FinFET技术兼容且具有增加的结面积的PIN二极管。

著录项

  • 公开/公告号CN100583460C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200810009023.3

  • 发明设计人 程慷果;L·L-C·苏;J·A·曼德尔曼;

    申请日2008-01-30

  • 分类号H01L29/868(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/329(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 美国纽约阿芒克

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-01-20

    授权

    授权

  • 2008-10-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-06

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号