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一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法

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一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：(a)离子注入及快速退火；(b)电子束光刻，形成量子线图形；(c)干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上；(d)光刻；(e)蒸发金属，剥离，合金；(f)二次电子束套刻，形成栅图形；(g)蒸发栅金属；(h)剥离，形成金属栅；采用本发明方法制备的基于SOI量子线的单电子晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点。

著录项

公开/公告号CN101276836B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-09

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN200710064857.X
发明设计人王琴;李维龙;贾锐;刘明;叶甜春;
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申请日2007-03-28
分类号H01L29/772(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周长兴
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:04:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-05-08

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/772 变更前: 变更后: 登记生效日:20130419 申请日:20070328

专利申请权、专利权的转移
2010-06-09

授权

授权
2008-11-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-10-01

公开

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