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一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器

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本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。

著录项

公开/公告号CN101588017B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-10-27

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN200810112207.2
发明设计人郑婉华;刘安金;王科;渠宏伟;邢名欣;陈微;周文君;
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申请日2008-05-21
分类号H01S5/183(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:05:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-10-27

授权

授权
2010-01-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-11-25

公开

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