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具有具拉伸应变且沿着具增加的载流子迁移率的晶体学定向的沟道的晶体管

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通过适当地相对于硅层(102)之结晶特性(crystallographiccharacteristic)而定向沟道长度方向，应变硅/碳材料(109)之应力引发效果在与传统的技术相比较可有明显的增进。在一个例示实施例中，该沟道(103)可沿着<100>方向予以定向以用于(100)表面定向，因此提供了大约1/4的电子迁移率的增加。

著录项

公开/公告号CN101432882B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人先进微装置公司;
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申请/专利号CN200780014864.7
发明设计人 A·魏;I·佩多斯;T·卡姆勒;
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申请日2007-03-29
分类号H01L29/04(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/24(20060101);H01L29/08(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:07:12

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-07

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/04 登记生效日:20181120 变更前: 变更后: 申请日:20070329

专利申请权、专利权的转移
2011-06-15

授权

授权
2011-06-15

授权

授权
2009-07-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-07-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-05-13

公开

公开
2009-05-13

公开

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1. 具有具拉伸应变且沿着具增加的载流子迁移率的晶体学定向的沟道的晶体管 [P] . 中国专利： CN101432882B . 2011.06.15
2. 在块体鳍式场效应晶体管沟道中产生拉伸应变 [P] . 中国专利： CN106257690B . 2020.03.31
3. Transistor with a channel with tensile strain, the along a crystallographic orientation is oriented at an increased charge carrier mobility [P] . 德国专利： DE102006019835B4 . 2011-05-12

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5. A transistor having a channel with tensile strain and oriented along a crystallographic orientation with increased charge carrier mobility [P] . 英国专利： GB2450838A . 2009-01-07

机译：一种晶体管，该晶体管的沟道具有拉伸应变并沿着晶体学取向取向，具有提高的载流子迁移率