公开/公告号CN101506969B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 三菱化学株式会社;
申请/专利号CN200780030841.5
申请日2007-08-22
分类号H01L23/29(20060101);C09K11/73(20060101);C09K11/80(20060101);G01N19/04(20060101);G01N25/20(20060101);H01L23/31(20060101);H01L33/00(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人丁香兰
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 09:07:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-17
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/29 登记生效日:20170922 变更前: 变更后: 申请日:20070822
专利申请权、专利权的转移
2017-10-17
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/29 变更前: 变更后: 申请日:20070822
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2011-08-31
授权
授权
2011-08-31
授权
授权
2009-10-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-10-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-08-12
公开
公开
2009-08-12
公开
公开
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机译： 半导体器件构件，半导体器件构件形成液和半导体器件构件的制造方法，以及半导体器件构件形成液，荧光体组合物，半导体发光器件，照明系统以及使用其的图像显示系统
机译： 半导体发光器件的构件形成液，固化体，半导体发光器件，半导体发光器件的制造方法，照明装置和图像显示装置
机译： 半导体器件，即动态随机存取存储器件的制造方法，涉及通过各向同性刻蚀另一凹部的基区来形成凹部，其中前凹部的宽度大于后凹部的宽度。
