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厚应变SOI衬底中的工程应变

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一种优选使用绝缘体上半导体(SOI)晶片(101)的半导体制造工艺。该晶片的有源层(106)是双轴应变的，并且具有第一(110-1)和第二区域(110-2)。第二区域(110-2)被非晶化以改变它的应变分量。退火晶片以使非晶半导体再结晶。分别在第一区域和第二区域中制造第一和第二类型晶体管(150-1、150-2)。可以处理有源层的第三(110-3)和可能的第四区域(110-4)以改变它们的应变特性。可以在第三区域上形成牺牲应变结构(130)。该应变结构可以是压缩的。当适当退火具有应变结构的晶片时，它的应变特性可以被反映在第三有源层区域(110-3)中。第四有源层区域(110-4)可以在平行于晶体管应变的宽度方向上延伸的条中非晶化以产生宽度方向上的单轴应力。

著录项

公开/公告号CN101454894B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-16

原文格式PDF
申请/专利权人飞思卡尔半导体公司;
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申请/专利号CN200780019691.8
发明设计人翁-耶·希恩;维克托·H·瓦塔尼安;布赖恩·A·温斯特德;
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申请日2007-04-24
分类号H01L21/84(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人陆锦华;穆德骏
地址美国得克萨斯
入库时间 2022-08-23 09:08:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-06

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/84 登记生效日:20180212 变更前: 变更后: 申请日:20070424

专利申请权、专利权的转移
2017-12-15

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/84 变更前: 变更后: 申请日:20070424

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2017-12-15

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/84 变更前: 变更后: 申请日:20070424

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2011-11-16

授权

授权
2011-11-16

授权

授权
2011-11-16

授权

授权
2009-08-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-06-10

公开

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2009-06-10

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公开
2009-06-10

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