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感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置

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摘要

本发明涉及感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置，所述方法是在高真空气氛中，采用感应线圈对高硼多晶硅进行熔炼至液态；再将所得液态硅蒸发并沉积出低硼多晶硅；最后将低硼多晶硅加以收集的工艺过程；所述高硼多晶硅的含硼量为0.0001％～0.001％，低硼多晶硅的含硼量为0.00002％～0.0001％。所述装置，包括放置于真空室内外围套有感应线圈的坩埚及其上的沉积板，所述沉积板通过其上与其连为一体的的支撑杆插挂于所述真空圆桶的上部桶壁上并与所述桶壁螺纹连接。本发明利用感应加热去除多晶硅中杂质硼，产量大，去除效果好、效率高，提纯效果稳定，方法简单易行，适合大规模工业生产。

著录项

  • 公开/公告号CN101774586B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连隆田科技有限公司;

    申请/专利号CN201010108252.8

  • 发明设计人 战丽姝;李国斌;谭毅;

    申请日2010-02-05

  • 分类号

  • 代理机构大连东方专利代理有限责任公司;

  • 代理人陈红燕

  • 地址 116025 辽宁省大连市高新技术园区礼贤街32B-508

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-28

    授权

    授权

  • 2010-10-27

    著录事项变更 IPC(主分类):C01B 33/037 变更前: 变更后: 申请日:20100205

    著录事项变更

  • 2010-09-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/037 申请日:20100205

    实质审查的生效

  • 2010-07-14

    公开

    公开

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