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含有碳或氮掺杂的二极管的非易失性存储器件及其制造和操作方法

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摘要

一种非易失性存储器件，其包括至少一个非易失性存储单元，所述非易失性存储单元包括掺杂有碳或氮至少一种的硅、锗或硅锗二极管(2)，其中掺杂的浓度大于不可避免的杂质级浓度。碳和/或氮例如被引入到p-i-n二极管(4，6，8)的本征区(6)中。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-09-14

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/102 变更前: 变更后: 申请日:20080623

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-06-29

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/102 登记生效日:20160606 变更前: 变更后: 申请日:20080623

专利申请权、专利权的转移
2012-01-11

授权

授权
2010-07-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/102 申请日:20080623

实质审查的生效
2010-06-02

公开

公开

1. 含有碳或氮掺杂的二极管的非易失性存储器件及其制造和操作方法 [P] . 中国专利： CN101720507B . 2012.01.11
2. 电荷俘获非易失性存储器件及其制造方法和操作方法 [P] . 中国专利： CN105895636B . 2020.08.18
3. And a method of manufacturing the non-volatile memory device equipped with a diode that has been doped with nitrogen or carbon [P] . 日本专利： JP5545872B2 . 2014-07-09

机译：以及一种制造配备有掺杂有氮或碳的二极管的非易失性存储器件的方法
4. And a method of manufacturing the non-volatile memory device equipped with a diode that has been doped with nitrogen or carbon [P] . 日本专利： JP2011517364A . 2011-06-02

机译：以及一种制造配备有掺杂有氮或碳的二极管的非易失性存储器件的方法
5. NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTAINING CARBON OR NITROGEN DOPED DIODE AND METHOD OF MAKING THEREOF [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2168161B1 . 2015-09-23

机译：包含碳或氮掺杂的二极管的非易失性存储器件及其制造方法