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短沟道低电压、中间电压和高电压CMOS装置

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低电压、中间电压和高电压CMOS装置具有：上部缓冲层，其具有与源极和漏极相同的导电性类型，且在所述源极和漏极以及栅极下延伸但不经过所述栅极的中部；以及下部块缓冲层，其具有与所述上部缓冲层相反的导电性类型，且从所述上部缓冲层下延伸经过所述栅极的所述中部，从而在所述栅极下形成所述两个块缓冲层的重叠。可使用两个遮蔽层来针对NMOS和PMOS FET两者植入所述上部缓冲层和所述下部块缓冲层。对于中间电压和高电压装置，所述上部缓冲层连同所述下部块缓冲层一起提供resurf区。

著录项

公开/公告号CN101632178B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-11

原文格式PDF
申请/专利权人飞兆半导体公司;
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申请/专利号CN200880007869.1
发明设计人蔡军;
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申请日2008-03-07
分类号H01L29/78(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人孟锐
地址美国缅因州
入库时间 2022-08-23 09:08:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-01

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更前: 变更后: 申请日:20080307

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-01-11

授权

授权
2012-01-11

授权

授权
2010-05-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20080307

实质审查的生效
2010-05-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20080307

实质审查的生效
2010-01-20

公开

公开
2010-01-20

公开

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