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化学机械研磨浆料、化学机械研磨法及半导体装置的制法

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提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。

著录项

公开/公告号CN1974636B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人 JSR株式会社;株式会社东芝;
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申请/专利号CN200610160614.1
发明设计人仕田裕贵;松井之辉;重田厚;平沢信一;加藤宽和;木下正子;西冈岳;矢野博之;
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申请日2006-11-29
分类号C08J5/14(20060101);H01L21/304(20060101);H01L21/312(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人苗堃;刘继富
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:08:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-12

专利权的转移 IPC(主分类):C08J 5/14 登记生效日:20171222 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20061129

专利申请权、专利权的转移
2012-02-01

授权

授权
2012-02-01

授权

授权
2008-12-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-12-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-06-06

公开

公开
2007-06-06

公开

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1. 化学机械研磨浆料、化学机械研磨法及半导体装置的制法 [P] . 中国专利： CN1974636B . 2012.02.01
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