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制造具有薄膜的金刚石单晶的方法和具有薄膜的金刚石单晶

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本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。

著录项

公开/公告号CN101400833B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-02

原文格式PDF
申请/专利权人住友电气工业株式会社;
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申请/专利号CN200780008725.3
发明设计人植田晓彦;目黑贵一;山本喜之;西林良树;今井贵浩;
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申请日2007-12-26
分类号C30B29/04(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人梁晓广;关兆辉
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:09:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-05-02

授权

授权
2009-05-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-04-01

公开

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