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锗硅HBT雪崩外延层有效厚度计算方法及雪崩电流计算方法

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摘要

本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管(HBT)雪崩外延层有效厚度计算方法及雪崩电流模型，可根据锗硅HBT的各端点偏压条件和所处环境温度计算该晶体管的雪崩电流。模型参数包括雪崩电流的曲率决定电压VAVL，晶体管雪崩常数An和Bn，集电极-基极结扩散电压V

1. 锗硅HBT雪崩外延层有效厚度计算方法及雪崩电流计算方法 [P] . 中国专利： CN101251864B . 2012.06.06
2. 硅光子学平台中的硅上锗雪崩光探测器及其制造方法 [P] . 中国专利： CN114141902A . 2022-03-04
3. CMOS-based planar type silicon avalanche photo diode using silicon epitaxial layer and method of manufacturing the same [P] . 美国专利： US7994553B2 . 2011-08-09

机译：使用硅外延层的基于CMOS的平面型硅雪崩光电二极管及其制造方法
4. CMOS BASED PLANAR TYPE SILICON AVALANCHE PHOTO-DIODE USING SILICON EPITAXIAL LAYER AND FABRICATION METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR20090061307A . 2009-06-16

机译：利用硅外延层的CMOS基平面型硅雪崩光电二极管及其制造方法
5. CMOS-BASED PLANAR TYPE SILICON AVALANCHE PHOTO DIODE USING SILICON EPITAXIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME [P] . 美国专利： US2009146238A1 . 2009-06-11

机译：使用硅外延层的基于CMOS的平面型硅雪崩光电二极管及其制造方法