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用于生产半导体器件特别是太阳能电池的金属背部触点的方法

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本发明涉及一种用于制造半导体器件的背部触点(21)的方法和用于实施所述方法的真空处理系统的使用方法，所述半导体器件特别是太阳能电池(20)，所述背部触点包括真空处理室中的衬底(22)背部上的金属层(24)。通过所述方法以及其使用方法，因为不需要用于旋转衬底(22)的处理系统，特别是可以省掉丝网印刷步骤，所以尤其是硅基太阳能电池(20)可以在连续工艺序列中以简单的方式设置有背部触点(21)，其中可以特别高效的和经济的设置所述工艺序列。

著录项

公开/公告号CN101689569B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-04

原文格式PDF
申请/专利权人应用材料公司;
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申请/专利号CN200880023778.7
发明设计人罗兰·特拉斯里;斯蒂芬·威尔德;刘健;尤尔根·海因里希;格哈德·瑞斯特;
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申请日2008-08-20
分类号
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人赵飞
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:10:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0224 授权公告日:20120704 终止日期:20130820 申请日:20080820

专利权的终止
2012-07-04

授权

授权
2010-10-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20080820

实质审查的生效
2010-03-31

公开

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外文文献

1. 用于生产半导体器件特别是太阳能电池的金属背部触点的方法 [P] . 中国专利： CN101689569B . 2012.07.04
2. 用于对太阳能电池的金属触点形成种子层和随后加固该种子层或该金属触点的光致电化脉冲沉积的方法和用于实现该方法的装置 [P] . 中国专利： CN102686784A . 2012-09-19
3. Connection production process, especially for producing metal connections to tungsten contacts in semiconductor devices, comprises forming a protective layer on an exposed part of the metal contact [P] . 德国专利： DE19853617A1 . 2000-05-25

机译：连接生产工艺，特别是用于产生与半导体器件中钨触点的金属连接的工艺，包括在金属触点的裸露部分上形成保护层
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机译：用于制造半导体部件，特别是太阳能电池的金属背面触点的方法
5. process for the production of a photoempfindlichen halbleitervorrichtung, in particular to a sonnenzellenbatterie with high performance [P] . 瑞士专利： CH467523A . 1969-01-15

机译：于生产光敏半导体器件的方法，特别是用于生产高性能太阳能电池的方法