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RESONANT TUNNELING DEVICES INCLUDING TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MATERIALS AND METHODS OF DETECTING PHYSICAL PROPERTIES USING THE SAME

机译:包含二维半导体材料的谐振隧道设备和使用相同方法检测物理性能的方法

摘要

A resonant tunneling device includes a first two-dimensional semiconductor layer including a first two-dimensional semiconductor material, a first insulating layer on the first two-dimensional semiconductor layer; and a second two-dimensional semiconductor layer on the first insulating layer and including a second two-dimensional semiconductor material of a same kind as the first two-dimensional semiconductor material.
机译:一种谐振隧穿装置,包括:第一二维半导体层,其包括第一二维半导体材料;第一绝缘层,位于第一二维半导体层上;以及第二绝缘层,其包括第一绝缘层。第一绝缘层上的第二二维半导体层包括与第一二维半导体材料相同种类的第二二维半导体材料。

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