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SUBSTRATE FOR GROWTH, LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING GAN LIGHT EMITTING DIODE

机译：用于生长，发光二极管的基质和制造gan发光二极管的方法

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摘要

Disclosed are a substrate for growth, a light emitting diode using the same, and a gallium nitride-based light emitting diode. In the method for manufacturing the light emitting diode using the stated substrate for growth, a selective two stage growth method using a mask pattern reduces crystal defects and a chemical lift-off reduces the loss of a seed layer when a gallium film is separated from the substrate, thereby providing a high quality gallium nitride-based epilayer.

机译：公开了用于生长的基板，使用该基板的发光二极管以及基于氮化镓的发光二极管。在使用所述用于生长的衬底的发光二极管的制造方法中，使用掩模图案的选择性两阶段生长方法减少了晶体缺陷，并且当从膜上分离镓膜时，化学剥离减少了种子层的损失。衬底，从而提供高质量的基于氮化镓的外延层。

著录项

公开/公告号KR20150049806A

专利类型
公开/公告日2015-05-08

原文格式PDF
申请/专利权人 GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY;
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申请/专利号KR20130130811
发明设计人 LEE DONG SEON;KONG DUK JO;KANG CHANG MO;LEE JUN YOUB;SEO DONG JU;
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申请日2013-10-31
分类号H01L33/02;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 15:00:13

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