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Apparatus and processes for silicon on insulator mems pressure sensors

机译:绝缘体上记忆硅压力传感器的设备和工艺

摘要

System and methods for silicon on insulator MEMS pressure sensors are provided. In one embodiment, a method comprises: applying a doping source to a silicon-on-insulator (SOI) silicon wafer having a sensor layer and an insulating layer comprising SiO2 material; doping the silicon wafer with Boron atoms from the doping source while controlling an injection energy of the doping to achieve a top-heavy ion penetration profile; and applying a heat source to diffuse the Boron atoms throughout the sensor layer of the SOI silicon wafer.
机译:提供了用于绝缘体上MEMS压力传感器的硅的系统和方法。在一个实施例中,一种方法包括:将掺杂源施加到具有传感器层和包含SiO 2材料的绝缘层的绝缘体上硅(SOI)硅晶片上;用来自掺杂源的硼原子对硅晶片进行掺杂,同时控制掺杂的注入能量以实现重离子渗透曲线;施加热源以将硼原子扩散到整个SOI硅晶片的传感器层。

著录项

  • 公开/公告号EP2637008A3

    专利类型

  • 公开/公告日2015-07-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INTERNATIONAL INC.;

    申请/专利号EP20130156859

  • 发明设计人 BROWN GREGORY C.;RAHN CURTIS;

    申请日2013-02-26

  • 分类号G01L9/00;G01L9/06;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 15:06:44

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