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Active region patterning in double patterning processes

机译:双图案化工艺中的有源区图案化

摘要

A method includes forming an SRAM cell including a first and a second pull-up transistor and a first and a second pull-down transistor. The step of forming the SRAM cell includes forming a first and a second active region of the first and the second pull-up transistors using a first lithography mask, and forming a third and a fourth active region of the first and the second pull-down transistors using a second lithography mask.
机译:一种方法包括形成包括第一和第二上拉晶体管以及第一和第二下拉晶体管的SRAM单元。形成SRAM单元的步骤包括:使用第一光刻掩模形成第一和第二上拉晶体管的第一和第二有源区域;以及形成第一和第二下拉的第三和第四有源区域。使用第二光刻掩模的晶体管。

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