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FABRICATION METHOD OF CUXO BY 2 STEP ATOMIC LAYER DEPOSITION

机译:两步原子层沉积制备CUXO的方法

摘要

PURPOSE: a kind of copper oxide layer manufacturing method manufactures the first or second copper oxide layer and depth selectively by two step atomic layer deposition methods to control entire film. ;CONSTITUTION: a kind of copper oxide layer manufacturing method passes through two step atomic layer deposition method following steps: forming copper atom layer on substrate, utilizes copper precursors gas and reaction gas; It is used with copper oxide layer is formed by the oxidation of gasoline of copper oxide atomic layer, which executes following steps: absorbing copper precursor gas on substrate; Copper precursors gas is cleaned from settling chamber; Forming copper atom positioned at the substrate makes reaction gas enter plasma with reaction gas in settling chamber; With cleaning reaction gas from settling chamber. ;The 2013 of copyright KIPO submissions;[Reference numerals] (AA) Copper precursor gas; (BB, DD, FF) is purged; (CC) plasma of hydrogen; Oxidizing gas (EE); (GG) first step; Second step (HH)
机译:目的:一种氧化铜层的制造方法通过两步原子层沉积法选择性地制造第一或第二氧化铜层和深度,以控制整个膜。 ;构成:一种氧化铜层的制造方法,通过以下两步原子层沉积法:在基板上形成铜原子层,利用铜前驱体气体和反应气体;它与氧化铜层一起使用,是通过将汽油中的氧化铜原子层氧化而形成的,其执行以下步骤:在基板上吸收铜前驱体气体;从沉降室中清除铜前驱物气体;位于基板上的铜原子的形成使反应气体与反应气体在沉降室内进入等离子体。带有来自沉降室的清洁反应气体。 ; 2013年KIPO提交的版权作品; [参考数字](AA)铜前驱体气体; (BB,DD,FF)已清除; (CC)氢等离子体;氧化气体(EE); (GG)第一步;第二步(HH)

著录项

  • 公开/公告号KR20130071339A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS;

    申请/专利号KR20120099484

  • 发明设计人 KWON JUNG DAE;KIM DONG HO;

    申请日2012-09-07

  • 分类号C23C16/448;H01L21/205;C23C16/40;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 16:26:50

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