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FLASH MEMORY STORAGE UNIT CAPABLE OF VERIFYING RELIABILITY USING A BYPASS PATH, AND A SYSTEM AND METHOD FOR VERIFYING RELIABILITY OF THE FLASH MEMORY STORAGE UNIT USING SAME

机译:能够使用旁路路径来验证可靠性的闪存存储单元,以及使用相同路径来验证闪存存储单元可靠性的系统和方法

摘要

The present invention relates to a flash memory storage unit including: at least one flash memory chip; a controller for controlling said at least one flash memory chip; a first connector for a first path between said at least one flash memory chip and the controller; and a second connector for a second path between the controller and a test supporting system for testing the flash memory storage unit, wherein the controller verifies reliability of the flash memory storage unit by using the flash memory storage unit which selectively activates at least one of the first path and the second path.
机译:闪存存储单元技术领域本发明涉及一种闪存存储单元,包括:至少一个闪存芯片;以及至少一个闪存芯片。控制器,用于控制所述至少一个闪存芯片;第一连接器,用于在所述至少一个闪存芯片和控制器之间的第一路径;控制器和用于测试闪存存储单元的测试支持系统之间的第二路径的第二连接器,其中控制器通过使用闪存存储单元验证闪存存储单元的可靠性,该闪存存储单元选择性地激活至少一个存储单元。第一路径和第二路径。

著录项

  • 公开/公告号WO2013042972A2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SNU R&DB FOUNDATION;

    申请/专利号WO2012KR07575

  • 发明设计人 YOON JIN HYUK;NAM EYEE HYUN;MIN SANG LYUL;

    申请日2012-09-21

  • 分类号G11C29;G11C16/06;G11C16/02;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 16:34:09

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