机译:使用层转移技术制造硅/电介质多层半导体结构的方法,以及使用该方法制造的三维多层半导体器件和叠层型图像传感器,以及制造三维多层半导体的方法设备和堆叠式图像传感器
公开/公告号US7977145B2
专利类型
公开/公告日2011-07-12
原文格式PDF
申请/专利权人 ROBERT STEVEN HANNEBAUER;
申请/专利号US20080045952
申请日2008-03-11
分类号H01L21;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:12:03