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Magnetic tunnel junctions including crystalline and amorphous tunnel barrier materials

机译：磁性隧道结，包括晶体和非晶隧道势垒材料

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摘要

Magnetic tunnel junctions are disclosed that include ferromagnetic (or ferrimagnetic) materials and a bilayer tunnel barrier structure. The bilayer includes a crystalline material, such as MgO or Mg—ZnO, and Al₂O₃, which may be amorphous. If MgO is used, then it is preferably (100) oriented. The magnetic tunnel junctions so formed enjoy high tunneling magnetoresistance, e.g., greater than 100% at room temperature.

机译：公开了磁性隧道结，其包括铁磁（或亚铁磁）材料和双层隧道势垒结构。双层包括结晶材料，例如MgO或Mg-ZnO和Al _{2 O _{3 ，其可以是非晶的。如果使用MgO，则其优选为（100）取向的。这样形成的磁性隧道结具有很高的隧道磁阻，例如在室温下大于100％。}}

著录项

公开/公告号US7443639B2

专利类型
公开/公告日2008-10-28

原文格式PDF
申请/专利权人 STUART STEPHEN PAPWORTH PARKIN;
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申请/专利号US20050099184
发明设计人 STUART STEPHEN PAPWORTH PARKIN;
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申请日2005-04-04
分类号G11B5/39;
国家 US
入库时间 2022-08-21 20:11:01

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