解决方案:该用于硅纳米线的生产方法包括:将stage或or前体掺杂到具有多个线状孔的多孔玻璃模板中的阶段;步骤:将掺杂有or或the前体的玻璃模板放置在形成有金属催化剂层的基板上,以使线状孔的一侧开口部分面对金属催化剂层;以及沿着玻璃模板内部的孔形成和生长硅纳米线的阶段。
版权:(C)2008,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007260896A
专利类型
公开/公告日2007-10-11
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;
申请/专利号JP20070055707
申请日2007-03-06
分类号B82B3;C01B33/021;C23C14/14;C23C16/24;B82B1;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:16:23