Glass on the basis of sio deep 2 - al deep 2 o deep 3 - pbo - bi deep 2 o deep 3, in particular for use in a sekundaeremissionselektrode

机译： 基于sio deep 2-al deep 2 o deep 3-pbo-bi deep 2 o deep 3的玻璃，特别是用于sekundaeremissionselektrode

机译： 基于pbo-b深2 o深3-（sio深2-al深2 o深3）的复合钝化玻璃，热膨胀系数（200-300摄氏度）在40至60.10之间高-7 /°硅的C-熔化温度不超过600摄氏度的半导体组件。

机译： 基于pbo-b深2 o深3-（sio深2-al深2 o深3）的复合钝化玻璃，热膨胀系数（200-300摄氏度）在40至60.10之间高-7 /°硅的C-熔化温度不超过600摄氏度的半导体组件。