首页> 外国专利> Making doped epitaxial germanium layers with defined - reproducible electrical properties

Making doped epitaxial germanium layers with defined - reproducible electrical properties

机译:制作具有确定的可复制电学特性的掺杂外延锗层

摘要

Ensures minimum deviation of specific resistance from a desired resistance value as well as the elimination of instabilities regarded as the main cause for changes in specific resistance. Using an open reaction system for the disproportioning of the germanium halide, the invention provides system parameters selected in such a manner that the depositing of germanium is surface limited and the latent instabilities reduced this way to a minor value are reduced still further by subsequent heat treatment.
机译:确保电阻率与所需电阻值的最小偏差,并消除被视为电阻率变化主要原因的不稳定性。使用开放的反应系统使卤化锗歧化,本发明提供系统参数,其选择方式使得锗的沉积受到表面的限制,并且通过随后的热处理进一步降低了以这种方式降低的潜伏不稳定性的较小值。 。

著录项

  • 公开/公告号FR2019882A6

    专利类型

  • 公开/公告日1970-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IBM;

    申请/专利号FR19690028467

  • 发明设计人

    申请日1969-08-19

  • 分类号B01J17/00;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-23 10:38:01

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号