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机译:一种具有确定的可复制电性能的掺杂外延锗层的生产方法
公开/公告号DE1949871A1
专利类型
公开/公告日1970-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 IBM;
申请/专利号DE19691949871
发明设计人 BERKENBLIT MELVIN;REISMAN ARNOLD;BURWELL LIGHT THOMAS;
申请日1969-10-02
分类号H01L7/36;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 10:49:09
机译: 制作具有确定的可复制电学特性的掺杂外延锗层
机译: 制备外延硅锗层的方法和包括外延砷原位掺杂的硅锗层的集成半导体器件