导体电阻

摘要： 本文根据GB/T 3048.4-2007规定的试验方法,对大截面铝导体电缆进行导体直流电阻测试。建立测量模型,分析大截面铝导体直流电阻测量不确定度的主要来源,对其测量不确定度进行了评定,并对影响分量进行分析。对电缆其他测试项目的不确定度评定具有一定的参考价值。

摘要： 能力验证是指利用实验室间比对,按照预先制定的准则评价参加者的能力.作为现场评审的一种补充形式,能力验证已成为各实验室证明其检测能力的一项重要外部质量评价活动.如何提高检测能力,确保能力验证取得满意结果就显得非常重要.本文从导体电阻能力验证不满意原因分析入手,介绍了导体电阻能力验证过程中的注意事项及针对主要问题的应对措施.

摘要： 本文主题是对高中必修第3册中"导体的电阻"的实验探究方案的改进,针对教材中实验方案存在的不足进行分析,提出相应的改进方法.

摘要： 计算导体电阻的方法之一——R=U/I是欧姆定律的一个重要应用,许多同学受此式的影响,经常误以为导体电阻的大小与导体两端的电压和通过导体的电流有关,造成解题错误。现以两道例题进行详述。例1某定值电阻两端加上20V的电压,测得通过它的电流为2 A,则其阻值为____Ω;若电压为0V,则它的阻值为____Ω。

摘要： 分析:(1)电阻是反映导体对电流的阻碍作用的物理量,加在不同导体两端的电压一定时,通过某导体的电流越小,表明它对电流的阻碍作用越大,即它的电阻越大;(2)影响导体电阻大小的因素有:导体的材料、长度、横截面积和温度,在研究电阻与其中某个因素的关系时,需要控制其他三个因素不变,而只改变所研究的因素。注意:通常认为导体的温度不变。

摘要： 人教版高中物理“导体的电阻”一节介绍了“探究导体电阻与其影响因素的定量关系”实验方案,尽管探究思路可行,但利用测量所获得的数据并不能定量得出电阻定律.基于此,笔者设计了一个自制实验仪,介绍了该实验仪器的选材、制作及操作过程.该自制实验装置能够有效地解决教材实验和其他教师所使用实验的缺陷,利用它定量探究电阻定律,增加了科学探究的严谨性,发展了学生的科学思维,落实了物理学科核心素养目标.

摘要： 人教版高中物理“导体的电阻”一节介绍了“探究导体电阻与其影响因素的定量关系”实验方案,尽管探究思路可行,但利用测量所获得的数据并不能定量得出电阻定律.基于此,笔者设计了一个自制实验仪,介绍了该实验仪器的选材、制作及操作过程.该自制实验装置能够有效地解决教材实验和其他教师所使用实验的缺陷,利用它定量探究电阻定律,增加了科学探究的严谨性,发展了学生的科学思维,落实了物理学科核心素养目标.

摘要： 通过对探究导体电阻影响因素试验方案的再优化,优化方案更高效、更简便,把演示实验改为学生实验,让全体学生有时间参与到自主探究的过程中,体验探究过程中的快乐,通过自主探究得出结论。

摘要： 王梅老师的微课《探究温度对导体电阻的影响》,是对北师大版物理教材九年级全一册第九章第三节和第六节课堂教学实验的一个补充。玻璃的电阻变化实验(即玻璃导电性能的演示实验)及钨丝的电阻变化实验在教学中,既能通过认识导体与绝缘体之间没有绝对的界限,渗透辩证唯物主义的观点,又可以树立安全用电的意识,同时直观地了解温度对导体和绝缘体电阻的影响。但这两个实验在课堂教学中很难完成。王老师将真实的实验录制下来,引导学生观察,并进行思考,对学生掌握知识、培养能力和学习科学方法均达到了现场实验的效果。

摘要： 通过数据分析，严格论证了用水浴测试导体电阻，结果优于室内空气中测试，简便易行，准确可靠。

摘要： 文章阐述了电线、电缆导体电阻的检测依据,对检测方法和不确定度评定进行了分析,并对检测结果与标准中规定限量的符合性如何评价进行了论述。文中根据GB/T 3048.4-2007中对电阻测量误差的规定,确定了检测方法和检测设备,对各检测方法的原理进行了说明,通过实际数据对检测结果的不确定度评定进行了分析,率先引入了与误差理论不同的检测结果与规定限量符合性的理论。从而保证了电线、电缆导体电阻检测质量和建筑工程质量,维护消费者的权利,节约了有限的能源。

摘要： 通过深入研究GB/T 3956-1997《电缆的导体》标准,本文提出了用18、30和20(*10Ω·mm/m)三个数字可以计算出具有足够近似程度的绝缘电缆铜、铝导体电阻值的方法,简便实用,颇有实际应用意义。同时提出对标准中50mm等规格导体电阻异常值的看法。

摘要： 目前圆形绞合紧压导体结构在电力电缆行业已得到广泛的使用,由于国家标准GB/T3956-1997中仅规定了圆形绞合紧压导体的使用材料和20°C导体直流电阻,但在产品结构方面则仅仅规定了使用单线的最少根数,那么,如何确定导体结构使其既满足产品标准要求,又有效控制材料成本,是每个企业和用户都非常关心的问题.为此,本文对圆形绞合紧压导体结构设计进行探讨.

摘要： 目前圆形绞合紧压导体结构在电力电缆行业已得到广泛的使用,由于国家标准GB/T3956-1997中仅规定了圆形绞合紧压导体的使用材料和20°C导体直流电阻,但在产品结构方面则仅仅规定了使用单线的最少根数,那么,如何确定导体结构使其既满足产品标准要求,又有效控制材料成本,是每个企业和用户都非常关心的问题.为此,本文对圆形绞合紧压导体结构设计进行探讨.

摘要： 目前圆形绞合紧压导体结构在电力电缆行业已得到广泛的使用,由于国家标准GB/T3956-1997中仅规定了圆形绞合紧压导体的使用材料和20°C导体直流电阻,但在产品结构方面则仅仅规定了使用单线的最少根数,那么,如何确定导体结构使其既满足产品标准要求,又有效控制材料成本,是每个企业和用户都非常关心的问题.为此,本文对圆形绞合紧压导体结构设计进行探讨.

摘要： 目前圆形绞合紧压导体结构在电力电缆行业已得到广泛的使用,由于国家标准GB/T3956-1997中仅规定了圆形绞合紧压导体的使用材料和20°C导体直流电阻,但在产品结构方面则仅仅规定了使用单线的最少根数,那么,如何确定导体结构使其既满足产品标准要求,又有效控制材料成本,是每个企业和用户都非常关心的问题.为此,本文对圆形绞合紧压导体结构设计进行探讨.

摘要： 本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。

摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件以及包括该半导体器件的电阻测量系统和包括该半导体器件的测压仪表装置。根据一个实施例，一种半导体器件1包括：可变电流生成单元11，该可变电流生成单元11发出直流电流Idac，该直流电流Idac的数值根据来自桥接电路B1的一个测量节点的控制信号S1，其中压敏电阻元件R4的电阻数值的变化量ΔR4表现为在测量节点NA、NB之间的电位差ΔV；电位差确定单元12，该电位差确定单元12确定是否已经生成电位差ΔV；以及控制单元13，该控制单元13向可变电流生成单元11输出控制信号S1，从而使可变电流生成单元11发出直流电流Idac，该直流电流Idac的数值基于电位差确定单元12的确定结果D1来不生成电位差ΔV。

摘要： 本发明的目的在于以低成本提供耐硫化性和耐焊锡熔蚀性均优良的不含铅的厚膜导体形成用组合物。本发明涉及一种用于形成作为芯片电阻器的电极使用的厚膜导体的组合物。本发明的组合物，作为导电粉末含有Ag粉末，作为氧化物粉末含有SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末，作为添加物添加有碳粉末。相对于导电粉末100质量份，碳粉末为1～10质量份，玻璃粉末为0.1～15质量份，Al2O3粉末为0.1～8质量份。所述玻璃粉末的组成比率为，SiO2：20～60质量％；B2O3：2～25质量％；Al2O3：2～25质量％；CaO：20～50质量％；以及Li2O：0.5～6质量％。

摘要： 本发明涉及一种用于电阻式开关元件的导体配置(1A)，包含至少一个第一和至少一个第二导体组合(10、20、30)，导体组合在一个公共平面内彼此相邻互相绝缘地布置。导体组合(10、20、30)分别包括由至少一条超导性导体带(2)构成的两个平行延伸形成一种双线结构的导体部分(11、12、21、22、31、32)。导体组合(10、20、30)形成一个线圈绕组，其线匝基本上按螺旋线的方式延伸以及借助定距器(3)彼此绝缘。

摘要： 本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。

摘要： 提供一种技术，其具备：存储部，其至少存储对被测定物进行测定的制程以及对被测定物进行测定的测定模式；以及以使对被测定物进行测定的方式进行控制的控制部，控制部算出在按照在制程中设定的各测定点的设定顺序进行了测定时的预测时间，并且根据测定模式变更在制程中设定的各测定点的设定顺序，算出在按照该变更后的设定顺序进行了测定时的预测时间，选定分别算出的预测时间中的、预测时间最短的设定顺序，并按照该选定的设定顺序对被测定物进行测定。

摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件以及包括该半导体器件的电阻测量系统和包括该半导体器件的测压仪表装置。根据一个实施例，一种半导体器件1包括：可变电流生成单元11，该可变电流生成单元11发出直流电流Idac，该直流电流Idac的数值根据来自桥接电路B1的一个测量节点的控制信号S1，其中压敏电阻元件R4的电阻数值的变化量ΔR4表现为在测量节点NA、NB之间的电位差ΔV；电位差确定单元12，该电位差确定单元12确定是否已经生成电位差ΔV；以及控制单元13，该控制单元13向可变电流生成单元11输出控制信号S1，从而使可变电流生成单元11发出直流电流Idac，该直流电流Idac的数值基于电位差确定单元12的确定结果D1来不生成电位差ΔV。

摘要： 本发明揭示一种半导体电阻及制造所述半导体电阻的半导体制程。所述半导体电阻包含一基板、一深井、至少二接触区以及一掺杂区。所述基板是用第一型离子掺杂。所述深井是用第二型离子掺杂，且形成在基板中。接触区是用第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中。掺杂区是用第一型离子掺杂，且与所述深井分离一距离。其中，第一型离子及第二型离子是为互补，且所述深井与所述掺杂区间的距离可用以调整崩溃电压。此外，所述半导体制程包含以下步骤：形成一含有第一型离子的深井；形成一含有第二型离子的掺杂区；形成一氧化层；以及在所述深井中形成含有第一型离子的至少二接触区。

摘要： 本发明揭示一种半导体电阻及制造所述半导体电阻的半导体制程。所述半导体电阻包含一基板、一深井、至少二接触区以及一掺杂区。所述基板是用第一型离子掺杂。所述深井是用第二型离子掺杂，且形成在基板中。接触区是用第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中。掺杂区是用第一型离子掺杂，且与所述深井分离一距离。其中，第一型离子及第二型离子是为互补，且所述深井与所述掺杂区间的距离可用以调整崩溃电压。此外，所述半导体制程包含以下步骤：形成一含有第一型离子的深井；形成一含有第二型离子的掺杂区；形成一氧化层；以及在所述深井中形成含有第一型离子的至少二接触区。

摘要： 本发明提供了一种半导体电阻器制造方法、半导体电阻器以及电子设备。根据本发明的半导体电阻器制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成阱区；在阱区上部区域中形成第一接触区和第二接触区；在阱区表面上的除了第一接触区和第二接触区之外的区域上布置掩膜多晶硅层；利用掩膜多晶硅部分作为金属化硅化物阻挡层，在所述第一接触区和第二接触区表面分别形成第一金属化硅化物和第二金属化硅化物。根据本发明，布置掩膜多晶硅层的步骤可以集成至集成电路的多晶硅栅极的沉积步骤中，从而无需增加附加的掩膜。并且，所布置的掩膜多晶硅层可以替代现有技术中的金属化阻挡层掩膜的作用，用来确保第一接触区和第二接触区之间的表面区域不被金属化。