微电子设备

摘要： 据物理学家组织网消息,瑞士洛桑联邦理工学院的研究人员通过使用3D气溶胶喷射打印,开发了一种生产高效X射线探测器的新方法。这种新型探测器可以很容易地集成到标准微电子设备中,从而大大提高了医疗成像设备的性能。研究成果发表在美国化学学会科学月刊《ACS Nano》上。

摘要： 光刻技术是当前微电子设备产业的关键技术,促进了信息时代的发展.关于光刻技术市场和技术的竞争正在展开,大量的开发和研发资金被投入到竞赛中.通过加强对光刻技术的研究,能提升微电子设备的性能,节约生产资金.本文探讨了光刻技术在微电子设备中的应用及发展.

摘要： 2019年12月16日,沈阳芯源微电子设备股份有限公司(以下简称“芯源微”)在上海证券交易所科创板挂牌上市,公司证券简称为“芯源微”,证券代码为“688037”,成为科创板第66家上市企业.

摘要： 来自美国马萨诸塞大学材料化学家Trisha Andrew和她的博士生Linden Allison的一项最新研究表明,他们现已研制出一种新型面料,可以采集人体热量,为活动追踪器等小型可穿戴微电子设备提供动力。相关研究成果发表在《先进材料技术》网络版上。在这项研究中,研究人员利用羊毛和棉花的天然低传热特性,制造一种热电服装,它可以在一种叫作“温差电堆”的电子设备上保持温度梯度。该电子设备甚至可以在长时间连续穿戴的情况下,将热量转化为电能。这是一个非常现实可行的方案,能够确保导电材料在电、机械和热能方面持续稳定。

摘要： 随着科技的发展,各行各业采用的电子信息设备和计算机系统越来越多,这类电子设备的耐压水平很低,极易受到雷击电磁脉冲的侵害,从而使雷击灾害由传统的直击雷对建筑物的损害扩展到到几乎所有行业,对各种微电子设备造成的危害极其严重。本文针对电子信息系统雷击电磁脉冲防护存在的漏洞,分析了雷击电磁脉冲入侵途径及电子信息系统雷击破坏的机理,给出了电子信息系统雷击电磁脉冲防护措施。

摘要： 随着科学技术的发展,我国的微电子技术得到了快速发展,使电子元件的集成程度越来越高,给微电子器件的清洗工作带来了很大的挑战,其清洗质量对电子设备的质量也会造成严重的影响.对此,本文对微电子工艺清洗方法的现状进行了分析,并提出了有效的清洗对策.

摘要： 随着科学技术进步,这些年我国光刻技术迅速发展,广泛应用于集成电路生产中,已经具备相对完善的光刻技术.相应不久的将来光刻技术会有长远发展.有鉴于此,本文中笔者以光刻技术为研究对象,分析其在微电子设备的中应用.希望通过本文论述为行业技术进步贡献一份力量.

摘要： 用光学复制的手段在半导体内形成相应的图像,其主要是为电路的制作和微电子设备服务的,这是光刻技术的原理.随着我国科技的发展,我国光刻技术也进入成熟发展阶段,其广泛应用在集成电路的生产中,光刻能力已经比较成熟.在未来,微电子设备上的光刻技术还会得到进一步发展.该文就是对光刻技术在微电子设备上的应用和展望进行了具体的分析.

摘要： 用光学复制的手段在半导体内形成相应的图像,其主要是为电路的制作和微电子设备服务的,这是光刻技术的原理.随着我国科技的发展,我国光刻技术也进入成熟发展阶段,其广泛应用在集成电路的生产中,光刻能力已经比较成熟.在未来,微电子设备上的光刻技术还会得到进一步发展.该文就是对光刻技术在微电子设备上的应用和展望进行了具体的分析.

摘要： 雷电以及过电压导致微电子设备的损坏,微电子设备的防护问题已经得到越来越多的重视和广泛研究.本文详细介绍了防护雷电及过电压的常用方法:分流、均压、屏蔽、接地和保护.对构成电涌保护器的内部器件,如放电管、压敏电阻、TVS瞬态电压抑制器、共模线圈等进行了介绍.指出应根据器件的各自特点设计理想的电涌保护器。

摘要： 本文针对电磁脉冲场对典型微电子设备的干扰与损伤效应问题利用电磁脉冲模拟器进行了实验研究.实验结果表明,无论脉冲电场、脉冲磁场,对设备的干扰阈值决定于脉冲的上升时间.上升时间短,则干扰阈值低.新参数脉峰升率(PRR)的提出为评价电子设备对EMP骚扰的敏感性和易损性及利用不同测试条件下的有关数据提供了依据.

摘要： 智能建筑配电系统遭受雷电过电压袭击时对微电子设备的正常运行造成严重干扰。本文介绍智能建筑全方位防雷电过电压的思想和技术以及完善的外部防雷措施，和可靠的内部防雷电电磁脉冲的措施，以此确保智能建筑各信息系统的微电子设备安全可靠运行。

摘要： 全自动COG(chip-on-glass)压接机是集精密机械、图像识别、自动控制、计算机应用、光学、检测、气动等多领域技术于一体的现代化微电子设备,是光机电高度集成化的设备.COG是实现液晶模块的高度集成化、薄型化的新技术.工作原理是通过高温及一定压力使驱动电路芯片与液晶板之间的导电粒子膜(ACF)受到破坏而露出导电粒子,实现驱动芯片与液晶板的牢固连接,从而接通芯片与液晶板线路.采用图像识别系统代替手动对准方式对芯片和晶片位置进行采集,定位,并反馈到控制系统来调整晶片的位置,以提高设备压接精度,缩短压接周期.

摘要： 随着时代发展，微电子设备的广泛使用，要求提供更可靠的保护接地，使得现代设备要求更低的接地电阻，还需要抗干扰。防雷工程的一个重要方面是接地以及引下线路的布线工程，整个工程的防雷效果甚至防雷器件是不是起作用都取决于此，大家应该认真的、系统的研究。为了正确地进行接地工作，本文明确了接地的概念及接地的作用，并对接地、接地网及其布线进行讨论。笔者给出几个例子介绍常遇到的接地要求和方法，并分析了计算传统地网接地电阻的公式，提出要达到设计接地电阻要求，克服环境条件的制约，有把握的达到良好稳定的接地效果，应从设计方案、施工工艺和接地材料的选择入手进行施工设计。

摘要： 本文通过现场调查的资料,对发生雷击造成设备损坏的原因进行了综合分析.同时阐明了防雷击电磁脉冲的必要性和防护措施,以引起社会的足够重视,提高雷电灾害综合防御能力,避免或减少损失.

摘要： 建立多层硅基微通道热阻网络模型,以热阻和流体压降为优化目标,运用SQP方法对微通道结构尺寸进行优化设计,并采用CFD进行数值分析与验证.尺寸为L×W=20mm×20mm,功率为400W的芯片的散热器,优化后的微通道个数和层数分别为40和2,高度和宽度分别为2.2mm和0.2mm,总热阻值为0.0383K/W.优化后的微通道散热器具有更优良的传热特性,与其他具有相同换热面积的微通道相比,其表面最高温度下降了约31.2K,且总热阻随通道长度的增加而增加.

摘要： 建立多层硅基微通道热阻网络模型,以热阻和流体压降为优化目标,运用SQP方法对微通道结构尺寸进行优化设计,并采用CFD进行数值分析与验证.尺寸为L×W=20mm×20mm,功率为400W的芯片的散热器,优化后的微通道个数和层数分别为40和2,高度和宽度分别为2.2mm和0.2mm,总热阻值为0.0383K/W.优化后的微通道散热器具有更优良的传热特性,与其他具有相同换热面积的微通道相比,其表面最高温度下降了约31.2K,且总热阻随通道长度的增加而增加.

摘要： 建立多层硅基微通道热阻网络模型,以热阻和流体压降为优化目标,运用SQP方法对微通道结构尺寸进行优化设计,并采用CFD进行数值分析与验证.尺寸为L×W=20mm×20mm,功率为400W的芯片的散热器,优化后的微通道个数和层数分别为40和2,高度和宽度分别为2.2mm和0.2mm,总热阻值为0.0383K/W.优化后的微通道散热器具有更优良的传热特性,与其他具有相同换热面积的微通道相比,其表面最高温度下降了约31.2K,且总热阻随通道长度的增加而增加.

摘要： 建立多层硅基微通道热阻网络模型,以热阻和流体压降为优化目标,运用SQP方法对微通道结构尺寸进行优化设计,并采用CFD进行数值分析与验证.尺寸为L×W=20mm×20mm,功率为400W的芯片的散热器,优化后的微通道个数和层数分别为40和2,高度和宽度分别为2.2mm和0.2mm,总热阻值为0.0383K/W.优化后的微通道散热器具有更优良的传热特性,与其他具有相同换热面积的微通道相比,其表面最高温度下降了约31.2K,且总热阻随通道长度的增加而增加.

摘要： 在一个实施例中，电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115，125)上的开口(112、122)。在另一实施例中，所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。

摘要： 本发明提供一种微电子机械系统装置、电子模块、电子设备以及移动体，其能够对在配线间产生的寄生电容进行抑制。所述微电子机械系统装置具备：底基板；第一配线，其使用第一结构体并被配置在底基板上；第二配线，其使用第一结构体和与第一结构体相连接的第二结构体并被配置在底基板上；微电子机械系统元件，其上连接有第一配线和第二配线，并被配置在底基板上，并且，所述微电子机械系统装置具备第一配线和第二配线相互交叉的交叉部，在交叉部处，第一配线的第一结构体和第二配线的第二结构体交叉。

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

摘要： 本发明的铜合金的一方式以3.3原子%以上且小于6.9原子%的范围含有Mg，且分别以0.001原子%以上0.15原子%以下的范围至少含有Cr及Zr中的任一种或两种，并且剩余部分为Cu及不可避免的杂质，将Mg的含量设为A原子%时，导电率σ（%IACS）满足以下式（1）。σ≤｛1.7241/（-0.0347×A2+0.6569×A+1.7）｝×100……（1）。该铜合金的制造方法的一方式具备将具有所述铜合金组成的铜材加热至300°C以上900°C以下的温度的工序、以200°C/min以上的冷却速度将加热的铜材淬冷至200°C以下的工序、及对淬冷的铜材进行加工的工序。

摘要： 本申请提供微电子部件、电子设备和微电子部件的制备方法，涉及微电子集成电路的领域，微电子部件包括衬底、功能层、微桥结构和支撑导电件；功能层设置在所述衬底上，并与衬底电接触；微桥结构设置在功能层远离衬底的一侧，并与功能层之间形成有间隙；支撑导电件的第一端电接触在微桥结构上，且支撑导电件的第二端电接触在功能层上，以将微桥结构上的电荷通过支撑导电件和功能层释放至衬底上。本申请解决了利用扫描电子显微镜对微桥结构进行观察时，微桥结构上形成电荷积累，从而使微桥结构产生弯曲，甚至出现坍塌现象，进而影响微电子部件正常使用的问题。

摘要： 在一个实施例中，电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115，125)上的开口(112、122)。在另一实施例中，所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。

摘要： 本发明提供一种微电子机械系统装置、电子模块、电子设备以及移动体，其能够对在配线间产生的寄生电容进行抑制。所述微电子机械系统装置具备：底基板；第一配线，其使用第一结构体并被配置在底基板上；第二配线，其使用第一结构体和与第一结构体相连接的第二结构体并被配置在底基板上；微电子机械系统元件，其上连接有第一配线和第二配线，并被配置在底基板上，并且，所述微电子机械系统装置具备第一配线和第二配线相互交叉的交叉部，在交叉部处，第一配线的第一结构体和第二配线的第二结构体交叉。

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

摘要： 公开了一种电子设备。电子设备包括：相机；存储单元；以及处理器，用于通过相机捕获包括外部电子设备的认证信息的图像，获取与包括在所述图像中的公钥相关的第一信息，并将第一信息存储在存储单元中，以及当基于第一信息的类型从外部电子设备接收到与公钥相关的第二信息和标识信息时，将第二信息与第一信息进行比较，以对外部电子设备进行认证。

摘要： 本实用新型涉及医疗设备技术领域，具体为一种医疗电子设备用的升压低功耗微电子组件，包括电器壳，所述电器壳的底端设置有电路板，所述电路板的左侧设置有散热板，所述散热板的内壁设置有出气管，且出气管均匀设置有多组，所述电路板的右侧设置有导气板，所述散热板通过连杆与导气板相连接，所述电器壳的顶端开设有散热孔，所述电器壳的前侧设置有气罩，所述气罩的内部设置有风机，所述气罩的左侧连通有输气管，且输气管上连通有进气管。一种医疗电子设备用的升压低功耗微电子组件，通过电器壳内置有散热板，散热板将可以集中对电路板上的电子组件进行高效散热，降低温度时电器元件的内阻减小，从而降低能源的消耗。