提拉法
提拉法的相关文献在1984年到2022年内共计466篇,主要集中在晶体学、无线电电子学、电信技术、化学
等领域,其中期刊论文295篇、会议论文27篇、专利文献216652篇;相关期刊78种,包括长春理工大学学报(自然科学版)、材料导报、功能材料等;
相关会议21种,包括中国感光学会2016年学术年会暨第九届四次理事会、2013年中国工程热物理学会传热传质学学术年会、四川省电子学会传感技术第11届学术年会等;提拉法的相关文献由1094位作者贡献,包括徐军、刘景和、张庆礼等。
提拉法—发文量
专利文献>
论文:216652篇
占比:99.85%
总计:216974篇
提拉法
-研究学者
- 徐军
- 刘景和
- 张庆礼
- 王继扬
- 陈建中
- 孙敦陆
- 殷绍唐
- 刘文鹏
- 庄乃锋
- 周圣明
- 张怀金
- 王彪
- 石自彬
- 赵斌
- 邓佩珍
- 罗建乔
- 赵志伟
- 丁雨憧
- 付昌禄
- 徐玉恒
- 王佳
- 胡晓琳
- 赵广军
- 徐晓东
- 方海生
- 曾繁明
- 朱允中
- 朱忠丽
- 李和新
- 李春
- 林海
- 柳祝平
- 王国富
- 郭飞云
- 龙勇
- 周国清
- 岑伟
- 张连翰
- 徐扬
- 王森
- 胡少勤
- 邹军
- 陈伟
- 黄小卫
- 万玉春
- 任国浩
- 孙晶
- 孙贵花
- 张亮
- 李建立
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丁言国;
叶崇志
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摘要:
本文采用中频感应提拉法生长了尺寸为Φ35 mm×70 mm的完整的YAlO_(3)∶Ce(YAP∶Ce)晶体。XRD测试结果表明所生长的YAP∶Ce晶体主相为YAP相,同时存在第二相YAG相;光致激发发射光谱表明晶体发射波长在344 nm和376 nm,激发波长分别为273 nm、290 nm和305 nm;X射线激发发射光谱表明晶体发射波长在377 nm附近;在γ高能射线激发下,晶体衰减时间曲线呈指数衰减,拟合后得到YAP∶Ce晶体的衰减时间为46 ns,通过高斯拟合以后YAP∶Ce晶体的能量分辨率和绝对光产额分别为8.51%和8530 ph/MeV。本文分析了晶体生长过程中产生开裂和相变的原因,通过优化温场和工艺可以得到完整无开裂的晶体。如何获得更大尺寸的无开裂、无相变晶体,并实现量产是该晶体规模化应用中需要解决的重要技术难题。
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郝元凯;
辛显辉;
刘蕾;
胡强强;
付秀伟;
贾志泰;
陶绪堂
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摘要:
Tb_(3)Sc_(2)Al_(3)O_(12)(TSAG)晶体具有高透过率、高激光损伤阈值、低吸收系数以及比Tb_(3)Ga_(5)O_(12)(TGG)更为优异的磁光性能,被认为是理想的磁光材料;但由于晶体在生长过程中会累积大量的热应力,并且出现成分偏析的现象,导致晶体在后期加工和使用过程中容易开裂,严重限制了该晶体的应用。本文通过优化生长工艺,采用提拉法成功生长了高质量且完整无开裂的TSAG磁光晶体。将生长所得的单晶经定向、切割及抛光后获得尺寸合适的样品,并对其热学性能和光学性能进行了系统表征。结果显示,TSAG晶体在400~1500 nm波段透过率达到84%左右,热学性能优于目前商业化应用较好的TGG晶体,在高功率下应用时变形较小且散热更快,将更好地保护器件安全。TSAG晶体的Verdet常数约为TGG晶体的1.2倍,且晶体生长过程不存在Ga_(2)O_(3)挥发等问题,制备较为简单,有望在可见近红外波段实现商业化应用。
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谷锡猛
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摘要:
采用提拉法成功生长出不同掺杂浓度的Mg:GaNbO_(4)晶体,并对晶体进行了表征;XPRD测试结果表明,晶体具有与GaNbO_(4)晶体相同的晶体结构,同属单斜晶系,C2/m空间群;Laue衍射测试结果表明,晶体结晶性良好,可利用性较高;XPS测试结果表明,Mg ^(2+)有效掺杂进GaNbO _(4)晶体中,且因杂质自补偿效应,调控了晶体中氧空位缺陷的浓度;晶体退火后,氧空位缺陷的浓度再次大幅度升高。
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张雨彤;
朱梦淇;
王彪;
贾鑫辉;
李静;
王继扬
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摘要:
自倍频晶体是将激光和非线性光学效应集于一体的一类晶体,可以实现波长变换、调幅、开关、记忆等功能,被广泛应用于光电子、光通信、激光等领域。然而现有的Nd∶LiNbO 3(Nd∶LN)、Nd∶Na_(3)La_(9)O_(3)(BO_(3))_(8)(Nd∶NLBO)、Nd∶La_(2) CaB_(10)O_(19)(Nd∶LCB)等晶体由于固有的光折变效应、二次谐波(SHG)输出功率低、光学均匀性差等缺点限制了其进一步的应用,发展新的激光自倍频晶体具有重要的意义和价值。碳酸钙镁石家族硼酸盐晶体由于具有较大的非线性光学(NLO)系数、不易潮解、优异的光学性能和机械性能等优点,近几十年来成为人们重点研究的对象。本文从晶体结构、生长方法、性能、发展趋势等方面,着重介绍了碳酸钙镁石家族REM_(3)(BO_(3))_(4)(RE为稀土元素La-Lu和Y;M为Al,Ga,Sc)和La_(x)RE_(y )Sc_(z)(BO_(3))4(RE=Gd,Y,Nd,Lu,Sm,Tb;x+y+z=3)共取代型硼酸盐非线性光学晶体。对比了不同助熔剂、气氛、方法生长的晶体的紫外(UV)截止边、光学性能、非线性性能的差异。通过改善生长工艺,进行元素掺杂等可以得到光学性能良好、非线性性能显著、有广泛市场应用前景的自倍频(SFD)晶体。
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王贝贝;
刘文鹏;
任浩;
张传成;
刘海莲;
邹勇;
丁守军
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摘要:
采用提拉法生长了2%Dy^(3+)和1%Tb^(3+)(原子数分数)共掺的钆钪铝石榴石激光晶体(Gd_(3)Sc_(2)Al_(3)O_(12),GSAG)。研究了晶体(111)晶面的腐蚀缺陷形貌并对缺陷形成机理进行了解释,讨论了晶体缺陷的特征形貌与晶体结构之间的关系。表征并计算了晶体(111)晶面的维氏硬度和莫氏硬度,在0.2 kgf载荷和10 s保荷时间条件下,晶体(111)面的维氏硬度为1267 kg/mm^(2),对应的莫氏硬度为7.3。研究结果对揭示混晶石榴石晶体中缺陷的成因和探索高品质晶体生长与加工工艺具有一定的参考价值。
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李玉民;
明鑫;
兰凯
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摘要:
钻井过程中由于地层或操作不当等因素导致偶发的卡钻,不仅延长了钻井周期,而且可能导致次生故障甚至埋钻等事故,造成严重经济损失.目前,现场采用的提拉法计算卡点方法没有考虑井内管柱所受摩擦阻力影响,导致计算出的卡点深度误差随着摩阻增加而增加,难以适用于高摩阻直井及大斜度井.基于卡点深度计算原理,运用胡克定律,利用上提、下放过程中相同钩载条件下管柱在井眼内所受摩擦阻力大小相等、方向相反的特点,推导了可消除套管内管柱摩擦阻力影响的卡点深度计算公式,同时提出了该计算公式配套的操作方法和实施步骤.实践证明,该方法计算卡点深度结果准确,具有较强的实用价值.
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孟香茗;
宋振兴;
王占学;
周震霄;
孙国庆
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摘要:
利用提拉法在紫铜基体上制备了ZnO涂层,并研究了成膜添加剂及水热加强过程对其机械性能及耐腐蚀性能的影响.研究表明,在ZnO溶胶液中加入成膜添加剂可使ZnO涂层形成大量直径为300 nm左右的孔洞,大幅提高了涂层的比表面积、附着力、硬度和耐磨性能;进一步的水热处理过程可在纳米多孔ZnO涂层之上生长一层粒径为100 nm左右的ZnO颗粒,进一步提高了涂层的比表面积,同时附着力明显提升,而硬度、耐磨性能基本保持不变;阳极氧化测试及交流阻抗测试表明,添加剂的加入及后续进行的水热加强处理能提高ZnO涂层的耐腐蚀性能.
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武广达;
樊梦迪;
杜月浩;
姚贵腾;
苗鸿臣;
程秀凤;
于法鹏;
赵显
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摘要:
压电材料在振动传感器、压力传感器和超声波压电换能器等器件技术领域有着广泛应用,探索新型压电晶体材料用于特种压电传感器件的研发具有重要意义。本文利用传统的提拉法生长出具有高熔点(~1800°C)的磷酸钡镱(YbBa_(3)(PO_(4))_(3),YbBP)新型压电晶体。X射线衍射分析表明,该晶体属于立方晶系I 43d空间群,晶胞参数为a=b=c=1.0435 nm。研究发现,该晶体沿垂直于(013)晶面的方向更容易生长。摇摆曲线半峰全宽测得为60.6″,表明生长的晶体具有较高的结晶品质。采用LCR电桥法、阻抗法和超声法测算了该晶体的相对介电常数和压电应变常数,得到晶体的相对介电常数ε11和压电应变常数d14分别为15.3和11.4 pC/N。该晶体不仅具有较好的压电性能,同时具有纯的面切变振动模态,表明该晶体在压电传感技术领域具有潜在应用。
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窦仁勤;
罗建乔;
刘文鹏;
高进云;
王小飞;
何異;
陈迎迎;
张庆礼
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摘要:
针对目前普遍存在的难以准确测定晶体组分的问题,提出一种以YAG晶体为标样、采用X射线荧光光谱分析法准确测定晶体组分的方法。测试样品分别为纯YAG晶体、生长原料掺杂浓度1.2 at%和2.0 at%Yb:YAG晶体,采用X射线荧光光谱分析法,对不同浓度的Yb:YAG晶体的组分进行了无损、快速、准确的测定。以纯YAG晶体作为标准样品,标定主成分的含量,大幅提高了检测结果的准确度,主成分Y^(3+)和Al^(3+)的测试误差小于1%、掺杂Yb3+的测试误差小于5%。通过晶体放肩初始部位Yb^(3+)的浓度测定结果,计算出Yb^(3+)在两种待测晶体中的分凝系数分别为1.025和1.045,接近于1,有利于实现Yb:YAG晶体的高浓度掺杂以及优质晶体生长。2.0 at%Yb:YAG晶体的首尾掺杂浓度差小于5%,说明晶体等径部分掺杂浓度均匀性高。
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谭慧瑜;
汪瑞;
张沛雄;
尹浩;
李真;
陈振强
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摘要:
采用单晶提拉法成功生长出优质的Gd^(3+)/Yb^(3+)共掺铝酸钇晶体。对晶体的结构、分凝系数、光谱和激光性能进行了表征,结果表明:所生长的晶体空间群为Pnma,属于正交晶系,Yb^(3+)的分凝系数为1.13。从偏振吸收和荧光光谱发现,b偏振方向时,晶体在980 nm处吸收截面为2.14×10^(-20) cm^(2),适用于InGaAs激光二极管泵浦;在1044 nm处的发射截面为0.39×10^(-20) cm^(2),荧光寿命为1.638 ms。此外,对b切向的Gd/Yb∶YAP晶体进行激光实验,在1μm处实现连续激光输出,斜率效率为23.5%,最大输出功率可达0.51 W。
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金泽林;
方海生;
郑丽丽;
黄晓明
- 《2013年中国工程热物理学会传热传质学学术年会》
| 2013年
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摘要:
镓钆石榴石(GGG)是一种在光学器械中很有应用前景的材料,还是光磁薄膜和高温超导的一种重要衬底.但是在GGG的生长中会出现一系列的缺陷,这些缺陷极大的降低了晶体的质量.本文应用数值模拟和理论分析的方法来探讨晶体生长过程中缺陷形成的机理,计算模拟了GGG晶体提拉法生长过程的温度场、流场和应力场,并分析了转速变化对晶体质量的影响,同时提出了两种用于提高晶体质量的改进方法.
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DOU Ren-qin;
窦仁勤;
ZHANG Hao-tian;
张昊天;
ZHANG Qing-li;
张庆礼
- 《中国感光学会2018年学术年会暨第九届六次理事会》
| 2018年
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摘要:
磁光晶体主要用于制作法拉第旋光器和隔离器,防止光路中由于各种原因产生的后向传输光对光源以及光路系统产生的不良影响.其在光纤通信、光信息处理技术、光传感器等领域具有重要应用.目前铽镓石榴石晶体(TGG)因具有大的磁光常数、低的光损耗、高热导性和高激光损伤阈值,是用于制作磁光隔离器的最佳磁光材料,适用于波长400~1100nm.但是TGG晶体在生长过程中存在组分挥发,对温场梯度要求苛刻等问题,限制了其大尺寸以及高光学质量晶体的生长.据相关报道提出,采用钪取代镓,可以解决组分挥发的问题,并且提高了磁光常数,但是目前报道的采用导模法、微下拉法、提拉法等方法生长的铽钪铝晶体(TSAG)尺寸都比较小,且容易开裂.采用提拉法,通过改进原料处理工艺和温度梯度,成功长出大尺寸TSAG晶体,并对其性能进行了初步研究.测量晶体(111)面的摇摆曲线,其半峰宽度只有0.11°,且峰型对称,说明晶体的质量很好.对其热学性能,如热膨胀、比热、热导率等进行了表征,同时测量其磁光性能,在632.8nm处的菲尔德常数为164rad/m T,比TGG的140rad/m T提高了17%.TSAG晶体有望成为第二代成熟的磁光晶体.
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Lingde ZHOU;
周灵德;
Qiusuo CHEN;
陈求索;
Haihu YU;
余海湖
- 《2011中国功能材料科技与产业高层论坛》
| 2011年
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摘要:
以五氧化二钒粉末为原料,采用熔融—水淬法制备了钒氧化物胶体,采用旋涂法或提拉法在玻璃基片和光纤端面上制备了钒氧化物干凝胶薄膜,对凝胶薄膜进行了表征,采用端面反射型光纤传感实验装置对薄膜的湿度敏感性质进行了研究.XRD测试结果显示钒氧化物干凝胶薄膜的胶体粒子较小或结晶不完整,拉曼光谱提示干凝胶膜具有层状结构.在光纤端面形成提拉膜,其反射光强随相对湿度增大而降低,相对湿度减小时反射光强增大,薄膜对湿度具有敏感特性,吸湿和脱湿的响应时间均较短,约为1~2s.
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彭同江;
刘海峰;
贾锐军;
孙红娟
- 《四川省电子学会传感技术第11届学术年会》
| 2009年
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摘要:
以分析纯SnCl2·2H2O和PdCl2为主要原料,控制不同n(Pd2+)(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了Pd掺杂SnO2纳米膜及气敏元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了Pd掺杂SnO2纳米膜的半导体和H2敏感性能。结果表明,Pd掺杂SnO2纳米膜平整而致密,表面椭球形粒子颗粒尺寸约20nm;Pd掺杂SnO2为金红石型晶体结构,但Pd2+进入SnO2晶格代替八面体中部分Sn4+,导致其晶胞参数比未掺杂SnO2略小;Pd掺杂SnO2纳米膜的电阻随温度升高而减小,表现出n型半导体阻温特性;随Pd掺杂比例的增大,元件的电阻增大,其对H2的灵敏度先增大后减小,当掺杂比例为1%时对H2灵敏度最高。
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于法鹏;
袁多荣;
尹鑫;
郭世义;
段秀兰;
赵显
- 《2008年全国频率控制技术年会》
| 2008年
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摘要:
用提拉法生长了铌酸镓镧单晶体采用LCR电桥,谐振-反谐振法测量了该晶体全部的相对介电常数、压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为:εo 11=21.55,εn33=80.18,D11=7.0pC/N,D14=-5.6 pC/N;Sε11=9.61 pm2/N;S E 12=-4.36 pm2/N;SE13=-2.10 pm2/N;SE14=-3.87 pm2/N;SE33=5.77 pm2/N;SE44=22.39 pm2/N;SE66=25.81 pm2/N。