正规族

摘要： 针对一类零点个数为有限的全纯函数族,在函数与其导函数分担一个极点均为重级的亚纯函数的条件下,利用Nevanlinna理论及其方法改进了已有文献在分担值条件下得到的一个定理.

摘要： 研究亚纯函数的正规性问题通常采用双向分担值与导数结合的方法,为进一步研究亚纯函数族的正规问题,采取减弱亚纯函数正规性的条件,应用Zalcman-Pang方法,得到与导数有单向分担值的亚纯函数族的正规定则.

摘要： 本文对涉及到高阶导数和分担集合的亚纯函数族的正规性进行了研究,当函数与该函数的高阶导函数分担两个集合,并且函数零点的重级满足一定的条件,以及函数的高阶导函数所组成的函数族内闭一致有界时,亚纯函数族是正规的。在前人研究的基础上,本文又进行了进一步的探索,得到了下面的定理:设F是单位圆盘Δ上的一族亚纯函数S_(1)={a_(1),a_(2)},S_(2)={b_(1),b_(2)},a_(1),a_(2)是两个互相判别的有穷复数,b_(1),b_(2)也是两两互不相同的有限复数,k(≥2)是整数,若对于■f∈F,f^((z))∈S_(1)■f^((k))(z)∈S_(2),f(z)-a_(j)的零点重级至少是k(j=1,2),且{f^((k))(z)|k≥2}在Δ上内闭一致有界,则F在Δ上正规。

摘要： 本文讨论了在去除不正规点的区域内涉及例外函数列的亚纯函数列的特征。主要结果如下:设{f_(n)(z)}与{a_(n)(z)}是区域D内的两个亚纯函数列。{f_(n)(z)}的零点与极点的重级均至少为k+2,{a_(n)(z)}的极点重级至少为k。a_(n)(z)χ/⇒a(z),a(z)(≠0)是D内的亚纯函数。假设f^((k))_(n)(z)≠a_(n)(z)且{f_(n)(z)}的任意子列在z_(0)∈D不正规,则在D^(-1)(∞)内,f^((k))_(n)(z)⇒a(z)。

摘要： 基于值分布和正规族理论以及高等代数相关知识,研究了全纯曲线族及其导曲线分担处于t次一般位置的超平面的正规定则。设F是一族从区域D■C到P^(N)(C)的全纯曲线,H_(l)={x∈P^(N)(C):=0}是P^(N)(C)中处于t次一般位置的超平面,α_(l)=(a_(l0),a_(l1),···,a^(lN))^(T),l=1,2,···,3t+1,H_(0)={x_(0)=0},t≥N。假定对任意的f∈F满足条件:若f(z)∈H,则■f(z)∈H_(l),l=1,2,···,3t+1;若f(z)∈∪^(3t+1)_(l=1),则H_(l),其中||/||f(z)·H_(0)||≥δ,δ∈(0,1)且为常数。那么,F在D上正规。对于N=3,t=3,4,5的特殊情形,本文有效降低了所分担超平面的个数。

摘要： 首先将亚纯函数的球面导数这个概念推广至更一般的形式即涉及亚纯函数的高阶导数的形式,然后利用著名的Zalcman引理和推广的球面导数研究了单位圆上亚纯函数族的正规定则和一致正规定则.所得的定理推广了Lappan五值定理和Marty准则,并改进了关于正规函数和正规族的一些已知结果.

摘要： 本文主要讨论了涉及微分多项式分担函数的正规定则,并且得到了以下结果:设F和G为区域D⊂ℂ的两族亚纯函数,所有零点的重级至少为k+1,其中k≥1且为整数。设b(z)≠0在D内全纯,ai,i=1, 2,…,k−1为有穷常数。若G正规,对于G中任意子列{gn},gn⇒g,在区域D上我们有g≢∞和L(g)≢b(z)(其中L(f)=f(k)+ak-1f(k-1)+…+a1f且L(g)=g(k)+ak-1g(k-1)+…+a1g)。若对于任意f∈F,存在g∈G使得:1)f(z)=0⇔g(z)=0;2)f(z)=∞⇔g(z)= ∞;3) L(f(z))=b(z)L(g(z))=b(z);则F在D上正规。

摘要： 本文研究了徐炎等人在文(Xu Y,Wu F Q,Liao L W.Picard values and normal families of meromorphic functions,Proc.R.Soc.Edinburgh,2009,139:1091-1099.)中提出的一个有关亚纯函数正规族猜想,得到了两个正规定则,并且证明了一个涉及分担值的正规定则,推广了前人的一些结果.

摘要： 研究了涉及分担函数的正规定则,证明了:设F为定义在区域D内的一族亚纯函数,n,k是两个正整数,满足n≥k+3.如果对于F中任意一个函数f,(f^(n))^(((k)))-z至多有一个不同的零点,则F在D内正规.此结论说明在(f^(n))^(((k)))具有不动点的情形下,1990年杨乐在Notre Dame大学举行的学术会议上提出的断言仍然成立.

摘要： 在本文中,作者继续讨论涉及分担超平面的全纯曲线的正规性,得到了如下结果:设F是一族从区域D?C到PN?上的全纯曲线,Hj={x∈PN?:(x,αj)=0}是PN?中处于一般位置的超平面,这里αj=(aj0,…,ajN)T且aj0≠0,j=1,2,…,2N+1.若对于任意的f∈F,满足下列两个条件:(i)如果f(z)∈Hj,那么▽f∈Hj,这里j=1,2,…,2N+1;(ii)如果f(z)∈2N+1∪j=1Hj,那么||/‖f‖‖H0‖≥δ,这里0＜δ＜1是一个常数,而H0={w0=0},则F在D上正规.

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供减轻进行是否是正规的物品的判定的管理者的负担的服务器装置的服务器装置包括第一获取单元、判定单元、第二获取单元、匿名化单元以及登记单元。第一获取单元从终端装置获取与物品有关的识别信息。判定单元判定获取到的所述识别信息是否被包括在包括与正规品有关的识别信息的正规品信息中。第二获取单元从所述终端装置获取能够识别所述终端装置的用户的个人信息。匿名化单元对获取到的所述个人信息进行匿名化。登记单元以使作为所述判定的结果输出的判定结果以及匿名化后的所述个人信息与获取到的所述识别信息相关联的方式，将获取到的所述识别信息、所述判定结果以及匿名化后的所述个人信息登记到存储单元。

摘要： 本发明为一种声音分析装置，在存在背景噪声的实际环境下，能够正确地分析声音的非周期成分，并且，包括：频带划分部(104)，将表示背景噪声和声音的混合音的输入信号频率划分为多个带通信号；噪声区间识别部(101)，识别所述输入信号的噪声区间和声音区间；信噪比计算部(106a-106c)，计算出信噪比，该信噪比为各个带通信号的所述声音区间中的功率和所述噪声区间中的功率的比率；相关函数计算部(105a-105c)，计算出所述声音区间中的各个带通信号的自相关函数；校正量决定部(107a-107b)，根据计算出的所述信噪比，决定校正量；以及非周期成分比率计算部(108a-108c)，根据被决定的所述校正量和计算出的所述自相关函数，针对所述多个频带分别计算出所述声音中包含的非周期成分比率。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为