CIGS

摘要： The copper indium gallium selenium (CIGS) thin film is widely acknowledged as the most promising material for photovoltaic applications. Mainly due to appealing chemical and physical structures properties, low fabrication cost, high efficiency, and uncomplicated integration especially with the advancement in the use of the flexible substrate. Promising results have been achieved in CIGS-based solar cells in the last few years and these devices could be key in unlocking the potential of green energy. Therefore, it is necessary to understand the parameters that are critical to improving the efficiency of these devices. Parameters such as doping concentration, thickness, substrates, and energy bandgap. In this review, we comprehensively report on these parameters with an aim of showing the recent progress on the various methods used to optimize them, all geared towards efficient and low cost solar cells for PV applications.

摘要： In this work, the AFORS-HET digital simulation software was used to calculate the electrical characteristics of the cell/n-ZnO/i-ZnO/n-Zn (O, S)/p-CIGSe2/p + -MoSe2/Mo/SLG. When the thickness of the CIGSe2 absorber is between 3.5 and 1.5 μm, the efficiency of the cell with an interfacial layer of MoSe2 remains almost constant, with an efficiency of about 24.6%, higher to that of a conventional cell which is 23.4% for a thickness of 1.5 μm of CIGSe2. To achieve the expected results, the MoSe2 layer must be very thin less than or equal to 30 nm. In addition, a Schottky barrier height greater than 0.45 eV severely affects the fill factor and the open circuit voltage of the solar cell with MoSe2 interface layer.

摘要： 为了提高CIGS薄膜太阳能电池转换效率,加快工业生产进程,该文重点介绍了优质的CIGS薄膜太阳能电池激光刻划技术,阐述了最优子电池宽度理论计算方式和选择依据。

摘要： In this paper, we investigate the effect of layer thickness on the residual stresses of copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells with polyimide substrate caused by CIGS layer deposition at 400?C and then cooling down to room temperature using the Finite Element Method (FEM). Moreover, we also examined the effect of layer thickness on residual stress of CIGS solar cells after cooling down to room temperature from the hotspot temperatures of 200?C, 300?C, and 400?C. Our simulated CIGS is composed of five layers: ZnO, CdS, CIGS, Mo, and PI substrate. We were able to quantify the effect of each layer’s thickness and hotspot temperature on the average stresses of each layer for the CIGS solar cells. We found that the PI substrate layer has the most significant effect on the residual stress of CIGS solar cells. Our simulation results reveal that the stress type (tensile vs. compressive) and the magnitude of stress of the CIGS layer (main absorber layer) can be controlled by changing the thickness of the PI substrate while applying a heat to CIGS solar cells. Quantitative analysis of relationship between layer thickness and thermo-mechanical stress of thin film solar cells can help solar cell manufacturers design more robust and reliable solar cells. For example, fabricating PI layer thickness less than 17 μm can improve the performance of CIGS solar cells by nullifying the compressive residual stress in the CIGS absorber layer.

摘要： 本文提出一种新型npn薄膜Cu(In1-xGax)Se2太阳能电池结构。与传统的CIGS电池相比,发射极CdS在垂直方向上产生电子,并且可以在水平方向上进行收集。本文使用Silvaco TCAD软件进行仿真,首先介绍了仿真的新型npn薄膜Cu(In1-xGax)Se2太阳能电池结构,为了优化结构对抗反射层MgF2的厚度进行了讨论,其次对缺口深度做了全面的分析,最后进一步优化电池做了背表面的处理。

摘要： 作为太阳能发电系统的核心组成部分,太阳能光伏面板可分为三代:a)晶体硅光伏面板,包括单晶硅光伏面板和多晶硅光伏面板;b)薄膜光伏面板,包括非晶硅薄膜光伏面板、碲化镉(CdTe)薄膜光伏面板、铜铟硒(CIS)薄膜光伏面板、铜铟硒化镓(CIGS)薄膜光伏面板;c)新兴技术光伏面板,包括聚光(CPV)光伏面板、染料敏化光伏面板、有机光伏面板、混合光伏面板。

摘要： As containing earth-abundant elements,kesterite(Cu_(2)Zn-Sn(S,Se)_(4),CZTSSe)semiconductors have great potential to be low-cost and environmental-friendly inorganic absorbers.However,the record power conversion efficiency(PCE)for CZTSSe solar cells is only 12.6%[1,2],much lower than that for Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)solar cells(23.35%)[3].

摘要： 文章使用SILVACO-TCAD软件工具研究了一种可以提高Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池效率的方法.在本次仿真模型中,将传统的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池结构改变成新型npn太阳能电池结构,大大提高了电池的效率,同时对电池的镓浓度做了讨论,得到了该结构最优的镓浓度.通过仿真提高了电池的效率,对CIGS薄膜的太阳能电池有重要意义.

摘要： 铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池具有转换效率高、生产成本低、不衰退和污染小等优点,是很有前景的新型薄膜太阳能电池,其实验室测试光电转换效率已达23.35％.探究CIGS的光电转化机制和器件性能的提升方法对推动光伏产业的发展具有重要意义.本文综合分析了CIGS的发展历程、原理、结构和提升其性能的主要技术途径.重点介绍了:(1)NaF?PDT、KF?PDT、RbF?PDT和Cs?PDT等多种碱金属的后沉积处理技术的发展;(2)采用Zn(O,S)、ZnS、(Zn,Mg)O等无镉缓冲层材料替代CdS缓冲层进行缓冲层结构优化;(3)利用双层或三层Mo背电极来解决Mo表面缺陷问题;(4)在氧化锌中掺杂其他元素(如用铝、氯或硼代替锌的阳离子掺杂)来提高导电性,进而优化窗口层.进而分析了CIGS太阳能电池的光电转化机制和影响因素,以及基于理论优化工艺技术路线方法.最后,讨论了CIGS薄膜太阳能电池相关技术的发展趋势.

摘要： 目的 模拟CIGS薄膜光伏余热-土壤源热泵双热源系统运行特性以及性能表现,优化CIGS-BIPV/T组件参数,建立组件发电量预测模型.方法 通过DeST平台搭建沈阳市某居住建筑模型,模拟其建筑冷热负荷,并以建筑负荷为目标需求,通过TRNSYS平台构建CIGS-BIPV/T-土壤源双热源热泵系统模型;通过Genopt软件调用Hooke-Jeeves算法对系统参数进行迭代计算优化;利用多元线性回归方法建立CIGS-BIPV/T组件发电量预测模型.结果 CIGS-BIPV/T组件的倾角设置范围为42°到45°,方位角设置范围为正南到南偏西1.56°时能够获得日最大发电量,组件发电量预测模型模型的R2为0.989,方差检验量的计算值为772877.5,明显大于F0.05,差异性检验值＜0.05,组件发电量预测模型能够对系统运行参数进行精准预测.结论 薄膜光伏组件余热-土壤源热泵双热源热泵系统能够满足建筑全年冷热负荷及生活热水需求,实现太阳能与地热能的综合利用.

摘要： 通过实验制备得到了OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuInGaSe、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值ΔE、ΔE.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.

摘要： 通过实验制备得到了OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuInGaSe、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值ΔE、ΔE.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.

摘要： 通过实验制备得到了OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuInGaSe、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值ΔE、ΔE.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.

摘要： 通过实验制备得到了OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuInGaSe、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值ΔE、ΔE.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.

摘要： 通过实验制备得到了OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuInGaSe、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值ΔE、ΔE.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.

摘要： 本发明提供一种合金材料组，包括三种合金材料，成分分别为：第一合金材料：Cu(0.01～1.0)In(0.01～1.0)Ga(0.01～1.0)Se(0.01～3.0)；第二合金材料：Cu(0.01～2.0)In(0～1.0)Ga(0～1.0)Se(0.01～3.0)；第三合金材料：Cu(0.01～2.0)In(0.01～1.5)Ga(0.01～1.0)Se(0.01～3.0)。

摘要： 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜以及使用该CIGS膜来抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池。用作该CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜具有：第1区域，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；第2区域，随着从该第1区域上至规定的第2厚度位置为止变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而，在上述第2区域上具有向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域。

摘要： 本发明涉及一种用于形成CIGS光吸收层的方法，其可以在衬底的Na浓度低，由此CIGS光吸收层的耗尽层厚的情况下，提高太阳能电池的效率。本发明的方法通过三步真空共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层，并包括：同时真空蒸发In、Ga和Se的第一步骤；同时真空蒸发Cu和Se的第二步骤；和真空蒸发In、Ga和Se的第三步骤。在第一步骤中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步骤中蒸发并供应的Ga的量。根据本发明的另一方面的CIGS太阳能电池包括：衬底；在衬底上形成的电极层；和在电极层上形成的CIGS光吸收层。在电极层和CIGS光吸收层的界面处的Ga/(In+Ga)的比率为0.45或更高。本发明的方法配置为使得在通过三步真空共蒸发法形成CIGS光吸收层的方法中，提高第一步骤中Ga的蒸发量，使得能够在Na浓度低的衬底上形成CIGS光吸收层，从而提高深度深的耗尽层的CIGS太阳能电池的效率。

摘要： 为了提供即使在制造大面积元件时，也能低成本、再现性好地制造转换效率优异的CIGS膜的CIGS膜的制法和包括其的CIGS太阳能电池的制法，本发明包括：层叠工序，其中，在基板上以固相状态依次层叠包含铟、镓和硒的层（A）以及包含铜和硒的层（B）；加热工序，其中，对层叠了上述层（A）和层（B）的层叠体进行加热，使上述层（B）的铜和硒的化合物熔融并呈液相状态，由此使上述层（B）中的铜扩散到上述层（A）中，使晶体生长得到CIGS膜。

摘要： 公开了一种利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS薄膜。根据本发明的制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法包括如下步骤：(a步骤)通过共蒸发在500至600°C的衬底上沉积Cu、Ga和Se；(b步骤)在维持与a步骤相同的衬底温度的同时，通过共蒸发来沉积Cu、Ga、Se和In；和(c步骤)在降低衬底温度的同时，依次通过共蒸发沉积Ga和Se，然后通过真空蒸发单独沉积Se。因此，与三步共蒸发法相比简化了工艺步骤，充分实现通过薄膜内晶体生长和Ga的组成分布获得的带隙分级的益处，从而使得能够提高加工效率。

摘要： 本申请提供的CIGS太阳能电池表面改性方法及装置，开启所述微波功率源，使得所述微波等离子体产生室的惰性气体电离并产生微波等离子体，所述偏转线圈产生的磁场将所述微波等离子体从所述微波等离子体产生室引出至所述真空室，并对所述真空室内的所述CIGS薄膜进行表面改性处理，不仅可以去除表面的Cu‑Se相，还可以减弱CIGS薄膜中Ga的不均匀状况，避免薄膜出现对太阳能的屏蔽作用，从而达到材料表面改性的目的，以获得了更高光电转换效率。另外，本申请还提供了一种CIGS太阳能电池。

摘要： 本发明涉及一种CIGS下电极用铝合金复合靶材及CIGS薄膜太阳能电池的制备方法，采用低成本的热压方式来制造此靶材，设备成本较低，由于材料温度较低且延展性较佳,同一批次可以多片同时热压，提高靶材的产率。本发明的铝合金复合靶材应用于CIGS电池的下电极膜层镀膜，由于原料成本较低且度率高，因此能降低溅镀膜层成本。随着靶材中钠钾含量的提高，在后制程中能提供较多的Na/K元素扩散至CIGS吸收层，提高载流子浓度及能填补缺陷提高组件开路电压，有利于转换效率的提高。在相同的效率要求下，也可以降低膜层的厚度，有利于提高设备的产率，降低设备成本并满足了大规模量产的要求。

摘要： 本发明提供一种合金材料组，包括三种合金材料，成分分别为：第一合金材料：Cu

摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种CIGS薄膜的制备方法及CIGS薄膜太阳能组件。本发明提供的CIGS薄膜的制备方法包含如下步骤：在基底表面制备具有凹陷和/或凸起的表面结构的钼金属薄膜；在钼金属薄膜的表面制备CIGS薄膜。本发明所提供的CIGS薄膜的制备方法中，引入了对钼金属薄膜表面形貌的加工处理，在钼金属薄膜的表面形成凹陷和/或凸起结构，从而使得进一步制备的CIGS薄膜与钼金属薄膜之间的接触方式由传统的平面方式转变成局部嵌入式的接触方式，有效提高了CIGS薄膜在钼金属薄膜表面的附着力，以该种CIGS薄膜进一步制备的CIGS薄膜太阳能组件适于进行异型组件制作等复杂加工工序。

摘要： 本发明涉及靶材技术领域，尤其是涉及一种用于CIG靶材打底层的合金材料、CIG靶材及其制备方法。所述用于CIG靶材打底层的合金材料，包括按质量百分数计的如下组分：铜30‑36％、铟50‑60％和镓10‑16％。所述CIG靶材，包括背衬基底、打底层和本体层，所述打底层设置于背衬基底和本体层之间，所述打底层的材料为前述用于CIG靶材打底层的合金材料。所述的靶材打底层的合金，铟和镓的含量高，合金粘度高，作为打底层，提高与背衬基底的粘结强度；并且，所述打底层的成分与靶材本体的CIG成分近似，实现方式相当，能够避免对靶材本体的污染，且具有较好的工艺实现效果。