DDR2内存

摘要： 世麦C5000智能终端特采用0ualcomm862504核1.2GH处理器及Hynix 1GB DDR2内存。同时，为了保证足够的稳定性，该款产品关键接插件经过6000次插拔测试，并经过1.2M水平跌落测试。其坚固可靠的人性化设计使得该款产品可提供IP65防护等级。

摘要： 笔者朋友有一块磐正的主板，可以同时支持DDR3＋DDR2内存，所以也被称为COMBO主板。但是比较奇怪的是，最近升级了DDR3内存之后，却无法再升级主板BIOS了。而以前用DDR2内存时，却可以升级。于是朋友前来求助，让笔者分析一下事情的原委。遇到这样的问题，最初认为是窄板的金士顿DDR3内存兼容性不好所造成的。于是就换了一条宽板的金士顿DDR3内存，但问题依旧。无奈之下，又去借了宇瞻和威刚的DDR3内存，但问题仍然没有解决。无奈之下，就去磐正的官网上寻找答案。没想到，竟然立刻就找到了答案。

摘要： 2013年10月，宇电自动化AI系列产品又添新成员——AI-3270S真彩人机界面触摸屏。本着“以客户为中心”的服务理念，宇电推出的此款新品以嵌入式低功耗CPU为核心，采用7寸高亮度真彩屏，搭载256MB的FLASH．64MB的DDR2内存，内置嵌入式WinCE系统及宇电AI组态应用程序。

摘要： 高通骁龙S4 Pro是迄今为止市面上最强大的SoC移动处理器。骁龙S4Pro开发平板采用了基于APQ 8064方案的四核处理器，拥有一块10．1英寸的WXGA屏幕，配有2GBLPDDR2内存和32GB存储空间，搭载Android 4．0操作系统。

摘要： 全球领先的创新嵌入式产业电脑和自动化解决方案提供厂商研华科技近日推出新一代双核工业级一体化工作站AWS系列。该系列在运算性能方面配备高性能IntelE5300CPU处理器，DDR2内存、500GB存储、计算及存储功能强大，同时提供9～14个不等的PCI／ISA扩展槽功能方便用户进行扩展，非常适用于工业环境需要高度运算及存储扩充的应用。

摘要： A15架构 德州仪器称绝不放弃OMAP 5平台rn德州仪器基于ARM Cortex-A15架构的双核心OMPA5移动平台将会在2013年初开始出货。此前德州仪器公布的两个OMAP5产品分别是5430和5432,其中前者用于智能手机产品（封装大小为14×14mm,支持LPDDR2内存）,而后者适合用在大尺寸平板设备上（封装大小为17×17mm,支持DDR3/DDR3L内存）。OMAP5基于UMC的28nm LPT制程工艺,集成2个Cortex-A15主力运算核心,PowerVR SGX544MP2双核心GPU和2个Cortex-M4省电核心,

摘要： E人E本T4是壹人壹本公司开发的第四代手写平板电脑，它最大的特点是对笔输入和控制的坚持，以及针对高端商务精英日常使用需求的设计。与之前几代产品相比，T4在硬件配置上的提升并不大，Freescale毛MX53lGHzCPU，512MBLPDDR2内存和32GBiNand存储空间的配置很主流，但它在系统设计和用户体验上却有了很大改变。

摘要： 我有一台老电脑，使用的是精英P4M800 PRO主板，增加了一根Kingston 1GB DDR2内存上去，系统只能显示512MB。主板说明书上介绍该主板最高可支持2GB内存，为什么现在只能将这个增加的1GB内存识别为512MB。

摘要： 本发明公开了一种DDR和DDR2内存控制器的延时滤波电路，由与门、或门和延时单元组成，延时滤波电路分为数据选通信号上升沿处理部分和数据选通信号下降沿处理部分。上升沿处理部分包括延时单元和与门，数据选通信号上升沿处理部分按级分类，每一级有一延时单元和一个与门；延时单元的输入端输入数据选通信号，输出端和本级的与门的一个输入端连接；与门的另一个输入端直接与未延时的数据选通信号连接，与门的输出端与下一级的延时单元的输入端相连，在最后一个级中，与门的输出端与外部电路连接。下降沿处理部分将上升沿处理部分的与门转换为或门。本发明在完成DQS延时的同时，可以滤除DQS的毛刺，并且可以软件配置DQS延时的长度。

摘要： 本发明提出一种检测DDR内存模块中异常DDR内存的方法，包括如下步骤：S1:通过主控模块向DDR内存模块进行检测，如果检测不通过，进行步骤S2；S2：通过主控模块向1号DDR内存和3号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明1号DDR内存和3号DDR内存无异常，进行步骤S4，如果检测不通过，说明1号DDR内存或3号DDR内存存在异常，进行步骤S3；S3：通过主控模块向1号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明3号DDR内存异常，如果检测不通过，说明1号DDR内存异常；S4：通过主控模块向2号DDR内存进行检测，如果检测通过，说明4号DDR内存异常，如果检测不通过，说明2号DDR内存异常。

摘要： 本发明公开了一种DDR和DDR2内存控制器的延时滤波电路，由与门、或门和延时单元组成，延时滤波电路分为数据选通信号上升沿处理部分和数据选通信号下降沿处理部分。上升沿处理部分包括延时单元和与门，数据选通信号上升沿处理部分按级分类，每一级有一延时单元和一个与门；延时单元的输入端输入数据选通信号，输出端和本级的与门的一个输入端连接；与门的另一个输入端直接与未延时的数据选通信号连接，与门的输出端与下一级的延时单元的输入端相连，在最后一个级中，与门的输出端与外部电路连接。下降沿处理部分将上升沿处理部分的与门转换为或门。本发明在完成DQS延时的同时，可以滤除DQS的毛刺，并且可以软件配置DQS延时的长度。

摘要： 本发明提供了内存条技术领域的一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置，包括一电源管理电路以及一外围供电电路；所述电源管理电路与外围供电电路连接；所述电源管理电路包括一电源管理芯片U27、一电阻R104、一电阻R469、一电阻R491、一电阻R494、一电阻R495、一电阻R109、一电容C399、一电容C389以及一电容C400；所述外围供电电路包括一电阻R103、一电阻R105、一电阻R86、一电阻R119、一电阻R52、一电阻R101、一电容C240、一电容C246、一MOS管Q21、一MOS管Q17、一MOS管Q25以及一二极管D15。本发明的优点在于：实现自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条。

摘要： 本发明为一种DDR内存插槽连接器，其包含一绝缘插座及多个端子，该绝缘插座的两相对侧板分别形成多个容置端子的端子收容槽，并与绝缘插座中间的一插槽连通，又该两相对侧板外对应各该端子收容槽处形成有一独立的焊脚固定槽，供对应端子的焊脚向外延伸一焊脚固定部，并固定于该焊脚固定槽中，且任两相邻焊脚固定槽之间再形成有一应力释放槽；如此，该DDR内存插槽连接器以该应力释放槽释放该焊脚固定部与该焊脚固定槽于组配时所产生的内应力，避免内应力聚集、在应用时发生受热变形翘曲、表面粘着作业端子焊接不良等问题，提升该DDR内存插槽连接器的生产和应用质量。

摘要： 本发明涉及电子器械领域，具体的公开了一种将ddr内存扩充为gpu显存使用的pcie控制器，包括控制器本体，所述控制器本体的四周边缘上方均连接有侧气囊，侧气囊的朝向控制器本体的一侧设置有多个排气孔，远离控制器本体的一侧设置有多个进气孔，且侧气囊在与进气孔同侧的两端均连接有磁铁板，四个侧气囊的上方安装有一用于防护的遮挡机构。控制器本体进行储存或者运输时不易被挤压或者磕碰损坏。控制器本体在制作完毕后能得到充分的防护，能在使用前保持较高的安全性，保证了后续使用中的稳定性。遮挡垫和侧气囊能避免外部的灰尘或者其他杂质进入到控制器本体的内部，保证了控制器本体在使用前不易被灰尘杂质影响。

摘要： 本实用新型公开一种与DDR3和DDR3L内存兼容的电路，其包括主控芯片电路，内存条供电电路，所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。因所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。该内存供电电压反馈配置电路通过控制MOS管Q1导通，MOS管Q2，MOS管Q3截止，或者MOS管Q1截止，MOS管Q2，MOS管Q3导通方式，实现在1.5V的DDR3内存条和1.35VD的DDR3L内存条之间切换，使得主控芯片电路分别给1.5V的DDR3内存条和1.35V的DDR3L内存条供电，从而达到增强同一工业主板支持DDR3内存条和DDR3L内存条使用的兼容性的目的。

摘要： 本实用新型涉及一种支持DDR2和DDR3双内存模式的AMD平台主板，该支持DDR2和DDR3双内存模式的AMD平台主板包括至少一个的DDR2内存插槽、至少一个的DDR3内存插槽、判断内存槽插使用状态的内存槽状态判断模块、DDR2内存BIOS单元和DDR3内存BIOS单元，该内存槽状态判断模块分别与DDR2内存插槽的DDR3内存插槽、DDR3内存插槽的接地脚、DDR2内存BIOS单元和DDR3内存BIOS单元连接，该支持DDR2和DDR3双内存模式的AMD平台主板能够自动判断该内存的规格，从而调用和启动相应的DDR2内存的BIOS或DDR3内存的BIOS进行工作，确保该AMD平台主板自动识别DDR2内存和DDR3内存，并分别支持DDR2内存和DDR3内存。

摘要： 本实用新型提供了内存条技术领域的一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置，包括一电源管理电路以及一外围供电电路；所述电源管理电路与外围供电电路连接；所述电源管理电路包括一电源管理芯片U27、一电阻R104、一电阻R469、一电阻R491、一电阻R494、一电阻R495、一电阻R109、一电容C399、一电容C389以及一电容C400；所述外围供电电路包括一电阻R103、一电阻R105、一电阻R86、一电阻R119、一电阻R52、一电阻R101、一电容C240、一电容C246、一MOS管Q21、一MOS管Q17、一MOS管Q25以及一二极管D15。本实用新型的优点在于：实现自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条。

摘要： 本申请涉及一种DDR5 1RANK RGB UDIMM内存模组，包括：DDR5颗粒组：包括分布于内存多个DDR5颗粒，用于存储输入所述DDR5颗粒的数据，ODT终端匹配电路：用于将命令地址信号线CMD/ADDR及控制信号线CTL上的信号上拉到VTT电压，以终结所述数据信号线DQ/DQS上的信号；串接匹配电路：用于调整所述数据信号线DQ/DQS上的电压；EEPROM芯片：用于存储所述DDR5颗粒组的SPD信息；PMIC电源电路：用于为所述DDR5颗粒组以及EEPROM芯片供电；RGB灯组：包括多个RGB LED灯，用于发光；RGB MCU：用于驱动所述RGB灯组；RGB电源电路：用于变换所述PMIC电源电路的输出电压后为所述RGB灯组和所述RGB MCU供电。本申请采用单通道地址命令寻址方式，提供更高的性能，且增加内存模组的科技感。