金属化

摘要： 本文介绍了一种用于磷化铟(InP)器件金属剥离工艺的多靶共焦式磁控溅射设备。通过正交实验摸索不同靶基距、靶角度对薄膜均匀性的影响,在靶基距为110~140mm,靶角度处于20°~25°之间时薄膜均匀性优于5%。取最优薄膜均匀性的靶基距、靶角度,实验摸索了不同溅射气压下薄膜的台阶覆盖率,结果表明在一定溅射气压范围内,薄膜台阶覆盖率随溅射气压减小而增加。取最优薄膜均匀性的靶基距、靶角度及最优台阶覆盖率的溅射气压,实验摸索了不同溅射功率下基片的表面温度,结果表明在常用光刻胶耐温范围内,较优的溅射功率为300W~400W。

摘要： 加成法、半加成法和减成法制造Additive, Semi-Additive, and Subtractive Fabrication加成技术已进入了不同的行业。现在出现了多种不同的半加成法(SAP),有积层膜(ABF)介质层结合化学镀铜进行金属化;有RCC是将介质树脂涂在铜箔上,再层压与激光通孔配合;有减薄铜是通过蚀刻将铜减薄至较低的厚度,这比使用超薄箔更容易。还有几种新工艺,包括使用液态金属油墨和其他类型种子层的SAP型工艺,以实现基板的金属化,最终目标是实现小于25μm的线条和间距。

摘要： 刚度和冲击性能得到改善的聚丙烯共聚物本发明涉及具有特定刚度与冲击平衡比率以及玻璃化转变温度与共聚单体含量之间特定关系的无规异相丙烯共聚物。本发明进一步涉及包含所述无规异相丙烯共聚物的制品及其用途。USP11254811,2022-02-22一种金属化取向的线性低密度聚乙烯薄膜本发明公开了用于多层薄膜的组合物、方法和用途,所述多层薄膜包括聚乙烯聚合物的金属化皮肤层,其中所述金属化皮肤层可被处理一次或多次。

摘要： 采用活化Mo-Mn法和活性金属钎焊(AMB)工艺对Al_(2)O_(3)陶瓷进行金属化处理,分别研究了两种金属化工艺的界面形貌、新相的形成及显微结构的演变,并测试了Al_(2)O_(3)/Cu的力学性能和气密性。研究表明:采用活化Mo-Mn法的封接界面处出现玻璃相的迁移,形成了立方相MnAl_(2)O_(4),可以提高封接强度。AMB工艺中活性元素Ti与Al_(2)O_(3)反应依次形成厚度为0.64μm的TiO和1.03μm的Cu_(3)Ti_(3)O。各层间热膨胀系数(CTE)的差异给钎焊接头提供了良好的热弹性相容性且降低了残余应力。活化Mo-Mn法的封接强度((60.2±7.7)MPa)比AMB工艺((43.1±6.9)MPa)高,但在气密性方面两者并无明显差别(均在2.3×10^(-11) Pa·m^(3)·s^(-1)左右)。

摘要： 综述了激光金属化的国内外发展现状,对激光金属化氮化铝表面的原理以及影响金属化效果的主要因素进行了介绍。激光金属化利用氮化铝在激光的高温下热分解产生金属铝层实现表面金属化,铝层厚度和导电性是衡量金属化效果的主要指标。影响金属化效果的因素主要有激光器的波长、激光工艺参数(能量密度、脉宽和光斑搭接率)、光斑能量分布和气体氛围,分析了各个因素的作用机理。最后针对激光金属化过程中存在的金属化导电层厚度不均匀、电阻偏大等缺陷,总结了关于激光金属化的几点优化措施。

摘要： 1问题提出随着国家新能源战略需要,国内电源适配行业应用的印制电路板(PCB)设计趋于高厚铜、高散热性及装配工件高可靠性,此类PCB以矩形金属化槽孔设计以增强防震及抗疲劳功能。

摘要： 针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析,着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环,分析结果可知,活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板,剥离强度25 MPa,(-40~150)°C热循环达到1500次,能耐1200 A/3.3 kV功率循环测试7万次,满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。

摘要： 探讨纺织基电磁屏蔽材料的研究进展。介绍了纺织基电磁屏蔽材料的屏蔽机理,从金属纤维基、金属化基、导电聚合物基及碳基4个主要研究方向,系统阐述了纺织基电磁屏蔽材料的最新研究现状,指出了纺织基电磁屏蔽材料在发展中存在的问题,并展望了其在未来的研究方向。认为:纺织基电磁屏蔽材料研发趋向于功能材料多元复合化、功能一体化和智能化等。

摘要： 对不同类型的聚合物及其复合材料表面金属化前处理工艺进行了综述,讨论了影响镀层附着力的主要因素,展望了特种聚合物表面金属化前处理工艺的前景.

摘要： 金属化改性法是一种全新的橡胶改性方法.采用抗压强度、抗折强度、荷载-挠度试验,研究金属化改性法对橡胶混凝土力学性能、弯曲韧性的改性效果,并对比分析金属化改性法与丁苯胶乳、偶联剂等传统改性法的改性效果.结果表明,金属化改性法能够大幅度提高混凝土的弯曲韧性;金属化改性后的橡胶混凝土跨中挠度较未掺橡胶的混凝土增长530％,相比未改性橡胶混凝土28 d抗压强度提升40％、抗折强度提升25％左右;金属化改性法在混凝土力学性能、弯曲变形等方面的改性效果优于丁苯胶乳、偶联剂等传统改性法,跨中挠度增长达320％,28 d抗压强度衰减率降低50％～75％.

摘要： 介绍了晶硅电池效率与金属化技术，高效晶硅电池金属化问题N型双面电池PERC电池SHJ电池，总结和展望，晶硅电池效率与金属化技术。

摘要： 本文从玻璃相扩散迁移、Mo的化学态和添加Mn的作用几个方面对氧化铝基陶瓷高温Mo-Mn法金属化机理进行了分析和总结,给出了高纯氧化铝陶瓷(包括99氧化铝陶瓷、透明氧化铝陶瓷)一些实验研究结果.通过对实验结果的分析和讨论,指出了高纯氧化铝陶瓷金属化配方设计、工艺参数控制等方面应把握的技术要点.实验研究结果对工程中高纯氧化铝陶瓷的金属化和封接工作具有一定的指导作用.

摘要： 针对光纤光栅传感器保护方面及向金属中封装嵌入方面现存的问题,采用化学镀和电镀结合的方法对光纤光栅传感器进行镀镍金属化保护,随后用钎焊的方法将传感器嵌入42CrMo结构钢中,从而获得智能金属结构.结果表明,镀层与传感器结合界面无缺陷,镀镍金属化使光纤获得了良好的保护,为后续钎焊嵌入金属做好了准备;钎焊对传感器影响较小;对钎焊后获得的智能结构进行了温度监测,表明传感器的灵敏度提高1倍,温度与波长变化成线性关系.

摘要： 本文介绍了复合材料微波器件转移法金属化的工艺过程,分析了芯模表面铜和银镀层的厚度分布,并对芯模材料选择、电镀工艺、粗化处理及芯模腐蚀等内容进行了叙述.

摘要： 主要讨论了复合材料天线反射面的转移法金属化技术.通过对转移法金属化工艺的研究,成功实现了大型树脂基碳纤维复合材料天线反射面的金属化;表面金属层与基材结合牢固,表面平整、光滑.

摘要： 针对影响氧化铝陶瓷活化钼锰法金属化的工艺因素,在配方、原料处理、涂敷方式、烧结等方面进行改进,提高工艺水平,保证质量稳定性、一致性.

摘要： 简要介绍了影响陶瓷金属化质量的主要因素,并在陶瓷金属化配方、工艺规范确定的前提下,介绍一些在实际生产中经常出现由于工艺条件、材料性能的波动而产生质量问题的可靠性控制的方法.

摘要： 采用烧结金属粉末法,以钨金属为主体,并添加微量活化剂,对氧化铝单晶宝石陶瓷进行金属封接,获得了良好的封接性能,满足使用强度和气密要求.

摘要： 二次金属化工艺现多采用电镀镍工艺技术,镍层在金属化层中所起的作用:优化焊料对金属化层的润湿,保护金属化层免于焊料的侵蚀,增强焊接强度和真空气密性.本文以生产实践为基础探讨获得镍层的工艺技术之异同及实用效果之比对.

摘要： 对吸波整流罩的电性能进行了研究,对比了吸波、透波整流罩的吸波性能,并研究了金属化处理对吸波整流罩的电性能的影响,结果表明整流罩使用吸波材料后,具有明显的RCS减缩效果.在垂直与水平极化下,2.6~18GHz范围内,平均RCS减缩在10dB以上.经金属化处理后整流罩在8~12GHz目标RCS≤0.1m.为今后进一步应用吸波整流罩打下了基础.

摘要： 本发明公开了陶瓷金属化原料、陶瓷金属化的方法及金属化陶瓷。上述的陶瓷金属化原料，包括如下组分：Al2O3、Mo、Mn、SiO2以及Y2O3；陶瓷金属化的方法包括如下步骤：将Al2O3、Mo、Mn、SiO2以及Y2O3原料混合，得混合料；在所述混合料中加入溶剂，搅拌均匀，形成膏剂；将所述膏剂丝印到陶瓷的表面；将表面具有膏剂的所述陶瓷于1500°C‑1700°C进行烧结，烧结完成后保温，然后降至室温，得一次烧结品；将膏剂再次丝印到一次烧结品的表面；将表面具有膏剂的一次烧结品进行烧结，保温；金属化陶瓷由的陶瓷金属化的方法制成。本发明所述的陶瓷金属化原料，可将Al2O3含量99.5份以上的陶瓷材料金属化。

摘要： 本发明涉及一种制造平面金属化纺织结构体的方法，该方法特征在于：将平面纺织结构体：(A)用包含至少一种选自Zn、Ni、Cu、Sn、Co、Mn、Fe、Mg、Pb、Cr和Bi或者前述金属的混合物及合金的粉末的金属粉末(a)作为组分的印刷配制剂进行印刷，(B)在一个或多个步骤中进行热处理，和(C)将其它金属沉积在平面纺织结构体上。

摘要： 本发明提供了一种可金属化的组合物、涂覆层及非金属表面选择性金属化的方法。该可金属化组合物包括主体树脂和溶剂，其中，主体树脂包含式Ⅰ所示结构的聚合物，

摘要： 本发明提供可采用更简便的方法形成精细图案的金属化基板的制造方法、采用该方法制造的金属化基板、以及该方法中使用的金属糊剂组合物。制成如下金属化基板（100），该金属化基板（100）具备：氮化物陶瓷烧结体基板（10）；该烧结体基板（10）上形成的氮化钛层（20）；该氮化钛层（20）上形成的含铜及钛的密合层（30）；该密合层（30）上形成的铜镀覆层（40），密合层（30）的厚度为0.1μm以上且5μm以下。

摘要： 本发明一种可金属化的组合物、涂覆层及非金属表面选择性金属化的方法，提供了一种可金属化组合物，包括主体树脂和溶剂，其中，主体树脂包含式I所示结构的聚合物，

摘要： 本发明公开一种金属化隔离膜及电容器，其中，金属化隔离膜包括介质薄膜、金属化电极；金属化电极覆盖在介质薄膜上，金属化电极由纵向第一绝缘间隙分隔为非分割电极和沿纵向连续重复的金属化隔离单元，每个金属化隔离单元与非分割电极之间通过第一级保险丝连接，相邻金属化隔离单元之间通过横向第一绝缘间隙隔开；金属化隔离单元通过纵向第二绝缘间隙分隔为N级分割电极，N为≧2的自然数；第N级分割电极的单个网格电极对应连接的第N级保险丝并联后的等效电阻大于第N‑1级分割电极的单个网格电极对应连接的第N‑1级保险丝并联后的等效电阻。本发明实现当金属化隔离膜中的某部分金属化电极发生电弱点击穿时，能有效隔离该部分的金属化电极。

摘要： 本发明公开了陶瓷金属化原料、陶瓷金属化的方法及金属化陶瓷。上述的陶瓷金属化原料，包括如下组分：Al

摘要： 本发明涉及一种制造平面金属化纺织结构体的方法，该方法特征在于：将平面纺织结构体：(A)用包含至少一种选自Zn、Ni、Cu、Sn、Co、Mn、Fe、Mg、Pb、Cr和Bi或者前述金属的混合物及合金的粉末的金属粉末(a)作为组分的印刷配制剂进行印刷，(B)在一个或多个步骤中进行热处理，和(C)将其它金属沉积在平面纺织结构体上。

摘要： 本发明提供了一种可金属化的组合物、涂覆层及非金属表面选择性金属化的方法。该可金属化组合物包括主体树脂和溶剂，其中，主体树脂包含式Ⅰ所示结构的聚合物，

摘要： 本实用新型公开一种金属化隔离膜、金属化隔离膜组及金属化隔离膜电容器，其中，金属化隔离膜包括介质薄膜、金属化电极；金属化电极覆盖在介质薄膜上，金属化电极由纵向第一绝缘间隙分隔为非分割电极和沿纵向连续重复的金属化隔离单元，每个金属化隔离单元与非分割电极之间通过第一级保险丝连接，相邻金属化隔离单元之间通过横向第一绝缘间隙隔开；金属化隔离单元通过纵向第二绝缘间隙分隔为N级分割电极，N为≧2的自然数；第N级分割电极的单个网格电极对应连接的第N级保险丝并联后的等效电阻大于第N‑1级分割电极的单个网格电极对应连接的第N‑1级保险丝并联后的等效电阻。本实用新型实现当金属化隔离膜中的某部分金属化电极发生电弱点击穿时，能有效隔离该部分的金属化电极。