陶瓷电容

摘要： 随着排放法规的升级,发动机上进气、排气、冷却、燃油等相关系统的压力参数需要被精准的采集和控制,导致越来越多的传感器被应用在发动机上,这些传感器的故障情况将会直接影响到发动机的可靠性。针对不同的技术方案研究表明:轨压传感器测量范围一般在1600bar以上,只能用玻璃微熔或薄膜溅射技术;机油压力和冷却水压力传感器测量范围是(50-1000)kPa,性价比最优的是陶瓷电容方案;进气压力传感器测量范围是(20-400)kPa,MEMS是最合适的方案。

摘要： 介绍了一种采用遗传算法来设计中压室内支柱绝缘子的优化方法,所设计的绝缘子形状不仅改善了绝缘子内部和空气中的电场分布.还优化了绝缘子外部形状,以及基于多项式的算法优化,同时还创新的使用了分压器.该绝缘子使用了陶瓷电容,比使用圆支柱金属网的常规绝缘子更容易达到所需要的电容数值.利用MATLAB软件建立了绝缘子模型;并用EleFAnT软件计算电场分布;采用微分进化算法得到了绝缘子外部形状和内部元件位置的最优解.结果 表明优化后的新绝缘子对于经济性和电气性提高较为有效.

摘要： 高功率电脉冲装置常使用电容分压器监测其电压值.电容分压器的幅度线性度表征了分压器在大电压与小电压下分压比的一致程度.线性度的好坏直接关系到监测的电压值的准确程度.本文对陶瓷电容分压器进行原理分析,并通过仿真软件在脉宽为200 ns的矩形脉冲高压源(500 V～4 kV)与半高宽约为10μs的冲击高压源(10～100 kV)下分别对陶瓷电容分压器的性能进行仿真,并设计加工.之后分别采用两种高压源对分压器进行实验研究,研究显示,陶瓷电容分压器的幅度线性度在500 V～100 kV之内为1.5％,线性度较好,可以将小信号下校准的分压比用于大信号的测量中.

摘要： 展望明年被动元件市况,业界预计,受惠5G智能手机渗透率提升、电动车(EV)及汽车电子等应用带动,预期明年全球被动元件产值可望年成长约11.1%。从产能扩充来看,业界预估明年全球被动元件产能持续有续扩充,估扩充幅度约10%。在产品价格部分,业界预期明年被动元件需求成长将小幅超过供给成长,需求年成长幅度约15%,预估积层陶瓷电容(MLCC)及芯片电阻(R-chip)报价有机会在明年第2季和第3季再度调涨。

摘要： 高功率电脉冲装置常使用电容分压器监测其电压值。电容分压器的幅度线性度表征了分压器在大电压与小电压下分压比的一致程度。线性度的好坏直接关系到监测的电压值的准确程度。本文对陶瓷电容分压器进行原理分析,并通过仿真软件在脉宽为200 ns的矩形脉冲高压源(500 V~4 kV)与半高宽约为10μs的冲击高压源(10~100 kV)下分别对陶瓷电容分压器的性能进行仿真,并设计加工。之后分别采用两种高压源对分压器进行实验研究,研究显示,陶瓷电容分压器的幅度线性度在500 V~100 kV之内为1.5%,线性度较好,可以将小信号下校准的分压比用于大信号的测量中。

摘要： 针对电容器提出一种国产高分子固态铝电容替换国外厂家固态钽电容器、铝电解电容的方案,通过对各项关键参数指标分析,试验数据对比,验证高分子固态铝电容具有等效串联电阻低、温度特性优良、安全性好、成本及市场供应优等特点,满足核电仪控系统运行环境、可靠性等要求.

摘要： Subharmonic oscillation will exist when ceramic capacitors are used as the output filter capacitors of ripple-based constant on-time (RBCOT) Buck converter. A novel on-chip ripple compensation scheme is proposed in the paper to alleviate such problem. This ripple compensation scheme can enhance system stability without adding any IC peripheral components and has good transient response performance. Describing function (DF) method is used to derive the small-signal model and analyze the stability of the proposed ripple compensation scheme. Simplis simulation results verify the system model and stability criterion derived. The experimental results further validate the theoretical analysis.%提出一种新颖的可以集成在芯片内部的纹波补偿方案,解决了当陶瓷电容作为基于纹波的恒定导通时间(RBCOT)架构 Buck 变换器输出滤波电容时出现的次谐波振荡问题.此纹波补偿方案在不增加任何IC外围元件的条件下,可增强系统稳定性且具有良好的瞬态响应性能.采用描述函数(DF)方法对所提出的纹波补偿方案进行小信号建模与稳定性分析.Simplis 仿真结果证明了所推导的系统模型与稳定性判据,实验结果进一步验证了理论分析.

摘要： 分别介绍基于微机电MEMS技术的压力传感器、基于陶瓷电容技术的压力传感器和基于硅应变片技术的压力传感器,以及以上3种技术在汽车上的典型应用案例.

摘要： 在由555定时器构成的单稳态触发器实验中,经常发生输出波形异常、暂稳态时间测量值与理论计算值偏差较大的问题.本文分别将信号源输出脉冲直接加到低电平触发端和将脉冲信号经过微分电路再加到低电平触发端,进行实验对比得知:发生波形畸变是由于在低电平触发端引入了负脉冲.进一步得到:对于单稳态触发器电路中的定时电容的选取,用薄膜电容代替陶瓷电容可以有效地减小测量值与理论计算值之间的偏差.

摘要： 在由555定时器构成的单稳态触发器实验中,经常发生输出波形异常、暂稳态时间测量值与理论计算值偏差较大的问题。分别将信号源输出脉冲直接加到低电平触发端和将脉冲信号经过微分电路再加到低电平触发端,进行实验对比得知：发生波形畸变是由于在低电平触发端引入了负脉冲。进一步得到：对于单稳态触发器电路中的定时电容的选取,用薄膜电容代替陶瓷电容可以有效地减小测量值与理论计算值之间的偏差。

摘要： 本文以实际工程应用产品为例,分析在采用导电环氧粘接工艺方式时,设计及工艺的问题导致的片式多层陶瓷电容一种失效模式及机理,并且给出预防措施.

摘要： 多层陶瓷电容器(MLCC)是一类重要的片式元器件，内电极的贱金属化已成为其产品开发的主流。MLCC内电极贱金属化的关键技术是获得抗还原性能优异的瓷料，能够与贱金属镍电极实现共烧的BaTiO3基抗还原瓷料的研究是目前MLCC研究的热点。本文综述了BaTiO3基抗还原介质材料的抗还原机理、制备方法及研究进展。

摘要： 采用镍电极是当今国际上片式多层陶瓷电容器的发展趋势。同时用镍浆来代替传统昂贵的银钯浆作为内部电极材料可大大降低生产成本。我国在此领域才刚刚起步,广博公司针对这一市场需求开发的纳米镍粉并进行产业化生产,填补了我国此应用领域的空白。

摘要： 针对爆炸箔起爆器系统用的三种发火装置,通过相关放电性能试验,对其进行性能比较.结果表明:采用陶瓷电容和三电极平面开关发火装置具有体积小、重量轻等优势,在峰值电流、爆发电流、峰值时间、爆发时间上都有一定的优势,且发火装置能量利用率更高.

摘要： 采用溶胶-凝胶法，在550°C下煅烧合成Ba0.7Sr0.3TiO3超细粉体，通过掺入不同摩尔比的Al2O3纳米级微粉在1 300°C下煅烧制备Al掺杂的Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷.引入Al2O3后对Be0.7Sr0.3TiO3陶瓷的微观结构、介电特性的影响进行了详细地研究.利用x射线衍射技术、扫描电镜技术对烧结的陶瓷样品进行了晶相结构和形貌的测试表征.利用HP4294A精密阻抗分析仪等设备对其漏电流、调谐率，介温特性等进行了研究.结果表明，引入Al2O3会降低Ba0.7Sr0.7TiO3陶瓷的介电常数的峰值和拓宽峰形，对Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷的直流电导有很好的抑制作用，同时也轻微地抑制了介电常数随偏压的变化.

摘要： 本文通过测试蔡氏电路中关键元件的电压特性关系,给出了混沌电路稳定出现八倍周期分岔现象时电路对元件性能的要求,实验发现相移电容的电压稳定性是实验的关键。这是一个很好的研究性实验内容。

摘要： 本文通过测试蔡氏电路中关键元件的电压特性关系,给出了混沌电路稳定出现八倍周期分岔现象时电路对元件性能的要求,实验发现相移电容的电压稳定性是实验的关键。这是一个很好的研究性实验内容。

摘要： 本文通过测试蔡氏电路中关键元件的电压特性关系,给出了混沌电路稳定出现八倍周期分岔现象时电路对元件性能的要求,实验发现相移电容的电压稳定性是实验的关键。这是一个很好的研究性实验内容。

摘要： 本文通过测试蔡氏电路中关键元件的电压特性关系,给出了混沌电路稳定出现八倍周期分岔现象时电路对元件性能的要求,实验发现相移电容的电压稳定性是实验的关键。这是一个很好的研究性实验内容。

摘要： 本文通过测试蔡氏电路中关键元件的电压特性关系,给出了混沌电路稳定出现八倍周期分岔现象时电路对元件性能的要求,实验发现相移电容的电压稳定性是实验的关键。这是一个很好的研究性实验内容。

摘要： 本发明的玻璃陶瓷烧结体玻璃陶瓷烧结体，包含：以通式ABO

摘要： 本发明提供一种在150°C下比电阻大、且具有一致的电容特性的电介质陶瓷，以及使用该电介质陶瓷的层叠陶瓷电子部件。陶瓷层（3）的特征在于，含有具有Ba、Ca、Ti、Zr的钙钛矿型化合物，并且含有Si，选择性地含有Mn，具备晶粒，在将Ti、Zr的合计含量设为1摩尔份时，Mn的含量为0.015摩尔份以下，Si的含量为0.005摩尔份以上且小于0.03摩尔份，Ca/（Ba+Ca）的摩尔比x为0.05＜x＜0.20，Zr/（Ti+Zr）的摩尔比y为0.03＜y＜0.18，晶粒的平均粒径小于130nm。

摘要： 层叠陶瓷电容器的方向识别方法包括：将多个层叠陶瓷电容器(1)在磁发生装置(31)及磁通密度测量仪(32)各自的前面排列成一列地传送的工序；在多个层叠陶瓷电容器(1)分别通过磁通密度测量仪(32)的前面时，利用磁通密度测量仪(32)来测量磁通密度的工序；以及基于在测量上述磁通密度的工序中所测量得到的磁通密度来识别层叠陶瓷电容器(1)的层叠方向的工序。

摘要： 提供了一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：陶瓷本体，该陶瓷本体具有层压于所述陶瓷本体中的多个电介质层；工作层，该工作层包括多个内电极，各个所述电介质层插入所述内电极之间；上覆盖层；下覆盖层；外电极；以及多个假电极；其中，当所述陶瓷本体的总厚度的1/2定义为A，所述下覆盖层的厚度定义为B，所述工作层的总厚度的1/2定义为C，所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述工作层的中心部与所述陶瓷本体的中心部之间偏离的比值（B+C）/A满足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

摘要： 本发明提供一种半导体陶瓷，施主元素相对于Ti元素100摩尔，在0.8～2.0摩尔的范围中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相对于Ti元素100摩尔，在0.3～1.0摩尔的范围中存在于晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。使用该半导体陶瓷，取得层叠型半导体陶瓷电容器。这时，在进行还原煅烧的一次煅烧处理中，把冷却开始时的氧分压设定为煅烧过程的氧分压的1.0×10

摘要： 本发明提供一种可显著提高生产率、同时内部电极与外部电极的密接性极为良好、可靠性高、而且成品率极为良好，进而电气特性等的质量高且稳定的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法、积层陶瓷电容器的中间体的制造中所使用的包含卤系化合物的处理水溶液、积层陶瓷电容器的中间体、以及积层陶瓷电容器的制造方法和积层陶瓷电容器；本发明在制造积层陶瓷电容器的中间体(1)时，将陶瓷层(2)与内部电极(3)交替地层叠多层，将该积层体进行压接、切断而获得积层陶瓷电容器的中间体(4)后，进行该中间体(4)的烧结，接着，使该烧结后的积层陶瓷电容器的中间体(40)的至少端部接触包含卤系化合物的处理水溶液，由此，将陶瓷层(2)的端部进行蚀刻，使埋没在该陶瓷层(2)中的内部电极(3)的端面或端部从该陶瓷层的端面(2)朝向外部露出；此时，使用包含卤系化合物的处理水溶液；另外，在所获得的积层陶瓷电容器的中间体(1)的两端部或侧面的多个部位处，以与内部电极电连接的方式设置外部电极(5)，从而获得积层陶瓷电容器(10)。

摘要： 层叠陶瓷电容器的方向识别方法包括：将多个层叠陶瓷电容器(1)在磁发生装置(31)及磁通密度测量仪(32)各自的前面排列成一列地传送的工序；在多个层叠陶瓷电容器(1)分别通过磁通密度测量仪(32)的前面时，利用磁通密度测量仪(32)来测量磁通密度的工序；以及基于在测量上述磁通密度的工序中所测量得到的磁通密度来识别层叠陶瓷电容器(1)的层叠方向的工序。

摘要： 本发明提供鸣响更难以发生的层叠陶瓷电容器。在包含电介质的陶瓷素体(2)内，配置有多个内部电极(3、4)。将层叠有多个内部电极(3、4)的方向作为层叠方向、将与陶瓷素体(2)的层叠方向正交的第1方向作为长度方向、将与层叠方向和第1方向正交的方向作为宽度方向。陶瓷素体(2)具有：层叠有多个内部电极(3、4)层叠的有效部、位于有效部的层叠方向的一侧的第1外层部(2g)、位于另一侧的第2外层部(2h)、和在层叠有有效部及第1、第2外层部(2g、2h)的部分的上述宽度方向一侧和另一侧设置的第1、第2宽度方向间隙部(2i、2j)。将第1、第2宽度方向间隙部(2i、2j)的宽度方向尺寸设为A、且将沿有效部的层叠方向的尺寸即厚度设为B时，A/B为0.04以下。

摘要： 本发明提供了一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：陶瓷本体，该陶瓷本体具有层压于所述陶瓷本体中的多个电介质层；工作层，该工作层包括多个内电极，各个所述电介质层插入所述内电极之间；上覆盖层；下覆盖层；外电极；以及多个假电极；其中，当所述陶瓷本体的总厚度的1/2定义为A，所述下覆盖层的厚度定义为B，所述工作层的总厚度的1/2定义为C，所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述工作层的中心部与所述陶瓷本体的中心部之间偏离的比值（B+C）/A满足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

摘要： 本发明提供一种半导体陶瓷，施主元素相对于Ti元素100摩尔，在0.8～2.0摩尔的范围中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相对于Ti元素100摩尔，在0.3～1.0摩尔的范围中存在于晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。使用该半导体陶瓷，取得层叠型半导体陶瓷电容器。这时，在进行还原煅烧的一次煅烧处理中，把冷却开始时的氧分压设定为煅烧过程的氧分压的1.0×10