IDT公司

摘要： IDT公司推出面向超低功耗固态硬盘应用的全新精密温度传感器产品系列TS3000GB0A0。新的器件系列可将功耗降至最低,优化材料清单成本(BOM),并与针对高容量内存模块的现有标准保持兼容。

摘要： “随着中国邮轮市场的扩大，不少邮轮客户都希望我们能够做好准备，适应新的产品需求。所以公司派我来中同，为各方船东、客户们提供信息和解决方案。”斯蒂芬·史萃克斯（Stephane Schrickx）是荷兰Bolidt公司的亚洲海事业务销售经理，在第19届中国国际海事会展期间接受了记者的采访。斯蒂芬虽然去年4月才搬到上海，但他曾在重庆、成都居住多年，

摘要： 工业风格的家具非常适用于都市空间，历史建筑和新建筑内都可使用，Schmidt公司的“艾珂罗”系列（左上图与左下图）便体现了对这种潮流的迎合，其线条简洁，材料实用，功能齐全，外观光滑，颇具时代感，适用于现代生活。该设计将Marvel门板与Harvey门板结合起来。

摘要： 2016年5月4日-IDT公司（IDT ）今天宣布，全球电子巨头华为已选择IDT公司的RapidIO技术，以便在其新的视频平台中提供更出众的视频质量。华为选择IDT RapidIO 是由于其强大的超低延迟和高可扩展性组合，这种特性能够实现顶级的高清视频解决方案。

摘要： IDT公司（IDT^（R））（NASDAQ：IDTI）今天宣布推出“三模（tri—mode）”无线充电接收器，支持AirFueltm联盟磁共振和磁感应充电标准、以及目前已经应用于很多领先的智能手机型号的无线充电联盟（WPC）磁感应Qi标准。

摘要： 2016年4月15日-IDT公司（IDT？）（NASDAQ：IDTI）和Digi—Key Electronics（得捷电子）宣布IDT无线充电套件创新设计大赛的优胜者，荣获一等奖的创新设计为一个无线充电咖啡壶，来自印度Chennai？

摘要： 2016年5月3日-IDT公司（IDT？）（NASDAQ：IDTI）今天宣布其4RCD0124K寄存器、4DB0226KA3数据缓冲器以及TSE2004温度传感器组件已经完全通过英特尔（Intel）、戴尔（Dell）和美光科技（Micron）等存储器生态系统领导厂商的认证，可适用于基于英特尔至强（Intel？Xeon？）处理器E5—2600V4系列产品的服务器和存储系统DIMM（双列直插式存储模块）应用。

摘要： IDT公司宣布推出开创性的一站式解决方案无线充电套件,使得无线充电方案更加方便、实惠和实用地集成到广泛的消费电子产品当中。兼容Q i标准的全新发射器和接收器参考套件可提供“即插即用（plug-and-play）”的轻松集成,

摘要： IDT公司的多路输出时序解决方案整合了系统组件与超高的设计灵活性，非常适用于成本敏感、低功耗消费类电子和低抖动通信应用。最初的5P49V5901VersaClock5产品具有4个通用输出对，能够产生4个高达350MHz的独立可编程频率，输出类型可为LVPECL、LVDS、HCSL和LVCMOS，同时在30mA内核电流下，具有业界领先的仅仅0．7ps的RMS相位抖动。

摘要： 近日IDT公司（IDT~）（NASDAQ：IDTI）宣布推出一个异构的移动边缘计算平台,能够在网络边缘以低延迟计算模式进行实时的大数据分析和深度学习。该计算平台由IDT开放式高性能分析和计算（HPAC）实验室基于与NVIDIA、Prodrive Technologies和Concurrent Technologies PLC的创新与合作开发,采用了目前量产的模块搭建。

摘要： 本发明公开了一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，蚀刻第一介质层后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。

摘要： 本发明公开了一种TC‑SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，然后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。

摘要： 本发明涉及一种MEMS‑IDT加速度传感器，所述加速度传感器包括：硅基悬臂梁及制备于悬臂梁应力集中之处的声表面波敏感元件以及制备于硅基悬臂梁自由端的质量振子。所述的硅基悬臂梁为采用深度刻蚀工艺制备的单自由度梁。所述的声表面波敏感元件包括低阻抗温补层、压电基片和钝化层。其中，所述低阻抗温补层沉积在所述硅基悬臂梁上；所述压电基片沉积在所述低阻抗温补层上；所述压电基片的上表面设置有声表面波器件图形；所述钝化层沉积于声表面波器件图形表面。该加速度传感器通过MEMS硅基悬臂梁与多层复合薄膜结构的温补型SAW相结合，解决了传统MEMS加速度传感器的大温漂问题，并具有微纳体积、高灵敏度和低功耗等特点。

摘要： 本发明公开了一种具有T型IDT结构的SAW滤波器，包括压电衬底和IDT电极，IDT电极包括相对设置的两个汇流条，各汇流条分别连接有向另一汇流条延伸的多个指条，且两汇流条上的指条交错排列；所述指条包括根部和位于根部顶端的帽部，在与指条延伸方向相垂直的宽度方向上，所述帽部的宽度大于所述根部。本发明还公开了上述SAW滤波器的制造方法。本发明在不改变线距和金属重量的前提下，减少了金属厚度同时维持目标的工作频率，避免了厚的金属层所导致的图形变形等问题对性能的影响。

摘要： SAW滤波器芯片包括多个SAW滤波器(1、2)，其中多个电滤波器中的至少一个是包括至少一个第一型SAW谐振器(10)的第一型电滤波器(1)。第一型SAW谐振器包括压电层(11)、位于压电层(11)上的中间层(12)以及位于中间层(12)上的叉指电极结构(13)。叉指电极结构通过中间层与压电层分离。中间层由介电、非压电材料制成，并且调整相应滤波器的机电耦合因子和带宽。多个SAW滤波器形成LTE多路复用器，其中中间层的厚度被选择以调整期望频带的要求带宽。对于较大的要求带宽，不存在中间层。

摘要： 本发明公开了一种用于制作有机光电晶体管的聚合物P‑PPAB‑IDT及有机光电晶体管，聚合物P‑PPAB‑IDT中采用席夫碱氮杂功能化的PPAB分子作为吸电子单元，采用IDT作为供电子单元，PPAB分子和IDT通过耦合得到聚合物P‑PPAB‑IDT，使得聚合物P‑PPAB‑IDT具有更高的平面性和更好的堆积模式，IDT的引入增加了聚合物的共轭长度，使得聚合物P‑PPAB‑IDT具有更高的载流子迁移率，并进一步发现采用聚合物P‑PPAB‑IDT作为活性和光敏层的有机光电晶体管在具有高π‑π堆积的同时反而具有相对较弱的光敏性，进而可以通过合理的分子结构设计降低π‑π堆积的程度提高光敏性，为共轭聚合物在有机光电晶体管中的应用提供了新的思路。

摘要： 本发明公开了一种基于IDT‑YOLOv5‑CBAM混合算法的密集小目标检测方法，采用模糊ISODATA动态聚类的方法对k‑means算法进行优化，避免局部最优解的情况发生；嵌入一个检测层，使得每个gridcell对应到原图中的感受野更小，增强小目标的检测能力；同时，采用并行策略add进行多尺度特征的融合，使它们在拥有高层语义信息的同时，保留了更多的细节信息；在模型中的Neck网络引入CBAM注意力机制模块，实现空间维度和通道维度的全方位兼顾；同时，将上采样更换为反卷积，通过反卷积的学习能力去让网络自己学习如何进行上采样，使之增强对目标图像中小目标的检测效果。本发明能够快速精确并尽可能多地识别出检测目标，极大的降低了模型的漏检率和误检率。

摘要： 本发明公开了一种IDT和MFDFA的电液伺服系统中电机状态监测方法。本发明步骤：1、将采集到的电机振动信号进行预处理；2、将电机振动信号进行自适应阈值降噪；3、对降噪后的振动信号进行固有时间尺度分解，得到固有旋转分量；4、对固有旋转分量进行峭度值计算和主成分分析；5、根据得到特征向量，对对应的固有旋转分量进行重组得到新的振动信号；6、通过多重分形去趋势波动分析对重组后的振动信号进行分析；7、将广义Hurst指数作为电机的纵坐标，时间尺度作为电机的横坐标，描点到直角坐标系中得到表示电机不同状态的点。本发明利用固有时间尺度分解原始信号，在不同的尺度上捕获互补的、丰富的诊断信息，可以有效地获取不同尺度的状态特征。

摘要： 本实用新型公开了一种用于制作SAW滤波器的IDT电极的中间结构，包括由下至上按序设置的压电衬底、第一光阻层、硬化层和第二光阻层；第一光阻层具有用于形成IDT图形的第一窗口，第一窗口的侧壁由下至上向外倾斜；硬化层设于第一光阻层顶部表面；第二光阻层具有对应位于第一窗口上方的第二窗口，第二窗口的至少部分区域宽度小于第一窗口的至少部分区域宽度。本实用新型避免了单层较厚的光阻层侧壁倾斜程度大导致沉积的IDT金属图形的侧壁偏离预设形状的问题，最终得到更为理想的IDT金属结构，使得到的SAW滤波器的性能更为稳定。

摘要： 本实用新型公开了一种具有T型IDT结构的SAW滤波器，包括压电衬底和IDT电极，IDT电极包括相对设置的两个汇流条，各汇流条分别连接有向另一汇流条延伸的多个指条，且两汇流条上的指条交错排列；所述指条包括根部和位于根部顶端的帽部，在与指条延伸方向相垂直的宽度方向上，所述帽部的宽度大于所述根部。本实用新型还公开了上述SAW滤波器的制造方法。本实用新型在不改变线距和金属重量的前提下，减少了金属厚度同时维持目标的工作频率，避免了厚的金属层所导致的图形变形等问题对性能的影响。